[发明专利]宏观划痕长度测量装置有效
申请号: | 201710062812.2 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108346595B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 王燕;刘源 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宏观 划痕 长度 测量 装置 | ||
本发明提供一种宏观划痕长度测量装置,包括:旋转夹具,所述旋转夹具的顶部沿其周向设有滑槽;光源;标尺,所述标尺的上表面沿其长度方向设有刻度,所述标尺的一端经由一固定装置固定于所述滑槽处;所述固定装置一端置于所述滑槽内,且可带动所述标尺以所述固定装置的轴向中心线为中心在平行于所述旋转夹具上表面的平面内旋转及带动所述标尺沿所述滑槽的长度方向滑动。本发明的宏观划痕长度测量装置可以在目检的同时精确测量晶圆表面任意位置处的宏观划痕;本发明的宏观划痕长度测量装置具有结构简单、操作方便及测量精度高等优点。
技术领域
本发明属于半导体设备技术领域,特别是涉及一种宏观划痕长度测量装置。
背景技术
目检(Visual Inspection,VI)在半导体领域具有重要的意义,使用目检设备可以检测出半导体工艺过程中产生的很多种缺陷。其中一种目检可以检测到的重要缺陷为宏观划痕(macro scratch),宏观划痕对芯片的性能会产生严重的不良影响。目检设备被广泛应用于确定宏观划痕的总长度以满足客户的需求。现有的目检设备如图1及图2所示,其中图1为所述目检设备的局部立体图,图2为所述目检设备中的夹持有待测晶圆的旋转夹具的俯视图。由图1及图2可知,现有的目检设备包括:旋转夹具11及光源13,所述旋转夹具11适于夹持待测晶圆14,所述旋转夹具11的下表面与一驱动装置12相连接,适于在所述驱动装置12的驱动下旋转,所述光源13位于所述旋转夹具11上表面的一侧,适于在目检时提供强光,其中,图1中的箭头表示强光。
然而,要想得到宏观划痕的长度,需要熟练的工程师操作,这无疑对测量提出更高的要求,并且不同的人员操作量测出来的结果也会不尽相同,从而不利于质量的控制。另外,在外延生长工艺后晶圆的背面会存在大量的背部缺陷,工程师一般会使用目检设备对这些背部缺陷进行观测,但使用目检设备只能观测到这些背部缺陷的大致结构,而不能得到这些背部缺陷的精确尺寸。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种宏观划痕长度测量装置,用于解决现有技术中的目检设备在对宏观划痕进行检测时存在的不能精确量测宏观划痕的总长度的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种宏观划痕长度测量装置,所述宏观划痕长度测量装置包括:旋转夹具及光源,所述旋转夹具适于夹持待测晶圆,所述旋转夹具的下表面与一第一驱动装置相连接,适于在所述第一驱动装置的驱动下旋转,所述光源位于所述旋转夹具上表面的一侧,适于提供强光;所述旋转夹具的顶部沿其周向设有滑槽;所述宏观划痕长度测量装置还包括:
标尺,所述标尺的上表面沿其长度方向设有刻度,所述标尺的一端经由一固定装置固定于所述滑槽处;所述固定装置一端置于所述滑槽内,且可带动所述标尺以所述固定装置的轴向中心线为中心在平行于所述旋转夹具上表面的平面内旋转及带动所述标尺沿所述滑槽的长度方向滑动。
作为本发明的宏观划痕长度测量装置的一种优选方案,所述标尺的数量为一个,所述标尺的长度大于或等于所述待测晶圆的直径。
作为本发明的宏观划痕长度测量装置的一种优选方案,所述标尺的数量为两个,两个所述标尺的长度之和大于或等于所述待测晶圆的直径。
作为本发明的宏观划痕长度测量装置的一种优选方案,所述标尺的端面形状为圆形。
作为本发明的宏观划痕长度测量装置的一种优选方案,所述标尺可在平行于所述旋转夹具上表面的平面内360°旋转。
作为本发明的宏观划痕长度测量装置的一种优选方案,所述标尺的上表面设有两排平行对应的刻度,其中一排刻度位于所述标尺上表面的一侧,另一排刻度位于所述标尺上表面的另一侧。
作为本发明的宏观划痕长度测量装置的一种优选方案,所述刻度的最小单位为毫米。
作为本发明的宏观划痕长度测量装置的一种优选方案,所述标尺的材料为耐高温透明材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造