[发明专利]气体传感器及其制造方法有效
申请号: | 201710063478.2 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN108387617B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 蔡明志;何羽轩 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;G01N27/02;G01N27/22 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种气体传感器,包括:
衬底;
输出层,配置于所述衬底上;
传感层,配置于所述输出层上;以及
纳米多孔聚合物膜,配置于所述传感层上,其中所述传感层用以传感气体分子,而所述纳米多孔聚合物膜用以选择性地过滤所述气体分子。
2.根据权利要求1所述的气体传感器,其中所述纳米多孔聚合物膜的孔洞的直径为0.2纳米至20纳米。
3.根据权利要求1所述的气体传感器,其中所述纳米多孔聚合物膜的厚度为0.05微米至150微米。
4.根据权利要求1所述的气体传感器,其中所述纳米多孔聚合物膜的材料包括全氟磺酸聚合物、纳米纤维素、醋酸纤维素(cellulose acetate)、聚砜(polysulfone)、聚乙烯胺(polyvinylamine)、聚酰胺(polyamide)、聚呋喃(polyfuran)的任二组合。
5.根据权利要求1所述的气体传感器,其中所述纳米多孔聚合物膜包括离子型结构,且所述纳米多孔聚合物膜上具有离子型的官能基。
6.根据权利要求1所述的气体传感器,其中所述输出层包括电极,且所述传感层的传感材料包括硅、纳米碳管、石墨烯。
7.根据权利要求1所述的气体传感器,其中所述衬底的表面包括平面、粗糙面、曲面或其组合。
8.一种气体传感器的制造方法,包括:
形成输出层于衬底上;
形成传感层于所述输出层上;以及
形成纳米多孔聚合物膜于所述传感层上,其中所述形成输出层、所述形成传感层以及所述形成纳米多孔聚合物膜的步骤所采用的方法包括三维打印。
9.根据权利要求8所述的气体传感器的制造方法,其中所述形成纳米多孔聚合物膜的步骤包括三维打印及烘烤。
10.根据权利要求8所述的气体传感器的制造方法,其中所述形成纳米多孔聚合物膜的步骤的方法包括进行溶液处理。
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