[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710063487.1 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107833880A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 崔秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 杨谦,房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型的基板；
第1电极，设于上述基板上方；
第2电极，设于上述基板上方；
第1导电型的第1半导体区域，设于上述基板与上述第1电极之间，与上述第1电极电连接；
第2导电型的第2半导体区域，设于上述基板与上述第2电极之间；
第2导电型的第3半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2半导体区域之间、以及上述基板与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；
第1导电型的第4半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；
第2导电型的第5半导体区域，设于上述基板与上述第2半导体区域之间，第2导电型杂质浓度高于上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域；以及
第1导电型的第6半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第3半导体区域之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述基板与上述第3半导体区域之间的第1距离和上述基板与上述第1电极之间的第2距离之和，比上述第3半导体区域与上述第1电极之间的第3距离长。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
还具备第2导电型的第7半导体区域，设于上述第3半导体区域与上述第2电极之间，第2导电型杂质浓度高于上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域，与上述第2电极电连接。
4.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电型的第1半导体区域；
第2导电型的第2半导体区域；
第2导电型的第3半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2半导体区域之间；
第1电极，设于上述第1半导体区域上方，与上述第1半导体区域电连接；
第2电极，设于上述第2半导体区域上方以及上述第3半导体区域上方，与上述第3半导体区域电连接；
第1导电型的第4半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；
第2导电型的第5半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第3半导体区域之间，第2导电型杂质浓度高于上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域；以及
第1导电型的第6半导体区域，设于上述第3半导体区域与上述第5半导体区域之间，与上述第1电极电连接。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
还具备第2导电型的第7半导体区域，设于上述第3半导体区域与上述第2电极之间，第2导电型杂质浓度高于上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域，与上述第2电极电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
