[发明专利]半导体装置

说明书

相关申请的引用

本申请以2016年09月15日提出申请的在先的日本国专利申请2016－180340号的权利的利益为基础，并且谋求其利益，通过引用在此包含其全部内容。

技术领域

这里说明的实施方式总的来说涉及半导体装置。

背景技术

在信号的传送线路设有用于在ESD(Electro Static Discharge：静电放电)中对内部的电子电路进行保护的ESD保护二极管。随着信号的高频化发展，正在寻求ESD保护二极管的低容量化。

在端子间容量小于1pF的那种容量较小的ESD保护二极管中，通常使用了被称作过压保护(crowbar)型电路的电回路。近年来，正在寻求ESD保护二极管的小型化。

发明内容

实施方式提供一种减少了动态电阻的半导体装置。

根据一个实施方式，具备第1导电型的基板、设于基板上的第1电极、设于基板上的第2电极、设于基板与第1电极之间并电连接于第1电极的第1导电型的第1半导体区域、设于基板与第2电极之间的第2导电型的第2半导体区域、设于第1半导体区域与第2半导体区域之间以及基板与第2电极之间并电连接于第2电极的第2导电型的第3半导体区域、设于第2半导体区域与第2电极之间并电连接于第2电极的第1导电型的第4半导体区域、设于基板与第2半导体区域之间且第2导电型杂质浓度高于第2半导体区域以及第3半导体区域的第2导电型的第5半导体区域、以及设于第2半导体区域与第3半导体区域之间的第1导电型的第6半导体区域。

根据上述构成的半导体装置，能够提供一种减少了动态电阻的半导体装置。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2是从上方观察第1实施方式的半导体装置时的示意图。

图3是成为第1实施方式的比较方式的半导体装置的示意剖视图。

图4是第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图5是过压保护型电路的示意图。

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。

在本说明书中，有时对相同或者类似的部件标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

在本说明书中，为了表示部件等的位置关系，将附图的上方向作为“上”、将附图的下方向作为“下”来叙述。在本说明书中，“上”、“下”的概念并非是一定表示与重力的朝向之间的关系的词语。

以下，以第1导电型为n型、第2导电型为p型的情况为例进行说明。另外，在以下的说明中，n⁺、n、n^－、以及p⁺、p、p^－的表述表示各导电型中的杂质浓度的相对的高低。即，n⁺表示相比于n，n型的杂质浓度相对更高，n^－表示相比于n，n型的杂质浓度相对更低。另外，p⁺表示相比于p，p型的杂质浓度相对更高，p^－表示相比于p，p型的杂质浓度相对更低。此外，有时也将n⁺型、n^－型简记为n型，将p⁺型、p^－型简记为p型。

(第1实施方式)

本实施方式的半导体装置具备第1导电型的基板、设于基板上的第1电极、设于基板上的第2电极、设于基板与第1电极之间并电连接于第1电极的第1导电型的第1半导体区域、设于基板与第2电极之间的第2导电型的第2半导体区域、设于第1半导体区域与第2半导体区域之间以及基板与第2电极之间并电连接于第2电极的第2导电型的第3半导体区域、设于第2半导体区域与第2电极之间并电连接于第2电极的第1导电型的第4半导体区域、设于基板与第2半导体区域的之间且第2导电型杂质浓度高于第2半导体区域以及第3半导体区域的第2导电型的第5半导体区域、以及设于第2半导体区域与第3半导体区域之间的第1导电型的第6半导体区域。

在图5中示出过压保护型电路800的示意图。在图5(a)中示出过压保护型电路800中的二极管的连接。过压保护型电路800具备第1二极管802、第2二极管804、第3二极管806、以及阳极电极808、阴极电极810。