[发明专利]半导体制程方法

权利要求书

1.一种半导体制程方法，其特征在于，所述半导体制程方法用以形成半导体结构及存储器单元，所述半导体制程方法包括：

在基底上布植第一深井区及第二深井区，其中所述第一深井区属于所述半导体结构，且所述第二深井区属于所述存储器单元；

在所述第一深井区设置第一组隔离区，及在所述第二深井区设置第二组隔离区；

同步在所述第一深井区对应于所述第一组隔离区形成的第一组间隙，布植一组第一井区，从而形成一组第一通道区，及在所述第二深井区对应于所述第二组隔离区形成的第二组间隙布植第二井区，从而形成第二通道区及第三通道区；

在所述第一深井区对应于所述第一组隔离区形成的第二组间隙，布植一组第三井区，从而形成一组第四通道区；

使用第一光罩以使光阻遮盖所述组第一通道区、及所述第二通道区，露出所述组第四通道区的至少一第四通道区及所述第三通道区；及

执行属于第一型半导体的掺杂以同步提升露出的所述至少一第四通道区及所述第三通道区的掺杂浓度；

其中所述基底及所述组第三井区属于所述第一型半导体，所述第一深井区、所述第二深井区、所述组第一井区及所述第二井区属于第二型半导体。

2.如权利要求1所述的半导体制程方法，其特征在于，其中所述存储器单元包括电容耦合闸极、浮动闸极、控制线、位元线、共电极、字元线及源极线，所述半导体制程方法另包括：

在所述第二通道区形成所述浮动闸极及所述字元线，及在所述第三通道区形成所述电容耦合闸极；及

在所述第二井区执行属于所述第一型半导体的掺杂以在所述电容耦合闸极的一侧形成所述控制线，在所述浮动闸极的第一侧形成所述位元线，在所述浮动闸极的第二侧及所述字元线的第一侧形成所述共电极，及在所述字元线的第二侧形成所述源极线。

3.如权利要求1所述的半导体制程方法，其特征在于，所述半导体制程方法另包括：

使用第二光罩以使光阻遮盖所述第二通道区、所述第三通道区及所述组第四通道区，露出所述组第一通道区的至少一第一通道区；及

执行属于所述第二型半导体的掺杂以调整露出的所述至少一第一通道区的掺杂浓度。

4.一种半导体制程方法，其特征在于，所述半导体制程方法用以形成半导体结构及存储器单元，所述半导体制程方法包括：

在基底上设置多个隔离区，从而形成多个间隙；

在所述多个间隙的一组第一间隙，布植一组第一井区，从而形成一组第一通道区；

在所述多个间隙的第二间隙布植第二井区，及在所述多个间隙的一组第三间隙布植第三井区，从而在第二井区形成第二通道区，及在所述第三井区形成第三通道区及第四通道区；

对应于所述多个间隙的一组第四间隙，布植一组第四井区，从而形成一组第五通道区；

使用第一光罩以使光阻遮盖所述组第一通道区、所述第二通道区及所述第四通道区，露出所述组第五通道区的至少一第五通道区及所述第三通道区；及

执行属于第一型半导体的掺杂以同步提升露出的所述至少一第五通道区及所述第三通道区的掺杂浓度；

其中所述基底及所述组第四井区属于所述第一型半导体，所述组第一井区、所述第二井区及所述第三井区属于第二型半导体，所述组第一井区、所述组第四井区及所述第二井区属于所述半导体结构，所述第三井区属于所述存储器单元。

5.如权利要求4所述的半导体制程方法，其特征在于，其中所述存储器单元包括电容耦合闸极、浮动闸极、控制线、位元线、共电极、字元线及源极线，所述半导体制程方法另包括：

在所述第四通道区形成所述浮动闸极及所述字元线，及在所述第三通道区形成所述电容耦合闸极；及

在所述第三井区执行属于所述第一型半导体的掺杂以在所述电容耦合闸极的一侧形成所述控制线，在所述浮动闸极的第一侧形成所述位元线，在所述浮动闸极的第二侧及所述字元线的第一侧形成所述共电极，及在所述字元线的第二侧形成所述源极线。

6.如权利要求4所述的半导体制程方法，其特征在于，所述半导体制程方法另包括：

在所述多个间隙的第五间隙，布植第五井区，从而形成第六通道区，其中所述第五井区属于所述第一型半导体及所述半导体结构。