[发明专利]一种伪器件辅助灵敏放大器电路

权利要求书

1.一种伪器件辅助灵敏放大器电路，其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第一反相器的输入端，所述第一PMOS晶体管的漏极连接到第一位线，所述第一PMOS晶体管的源极分别连接到第一反相器的输出端和第二反相器的输入端，所述第二PMOS晶体管的漏极连接到第二位线，所述第二PMOS晶体管的源极分别连接到第一反相器的输入端和第二反相器的输出端，所述第一NMOS晶体管的源极分别连接到第一反相器的接地端和第二反相器的接地端，所述第一NMOS晶体管的漏极接地，所述第一NMOS晶体管的栅极分别连接到第三反相器的输出端、第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极，其特征在于：还包括伪器件第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第一反相器的输出端，所述第三NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第二反相器的输出端，所述第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极均连接到第三反相器的输入端。

2.根据权利要求1所述的伪器件辅助灵敏放大器电路，其特征在于：所述第一反相器包括第三PMOS晶体管和第四NMOS晶体管；

所述第二反相器包括第四PMOS晶体管和第五NMOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的伪器件辅助灵敏放大器电路，其特征在于：所述第三PMOS晶体管的源极和第四PMOS晶体管的源极均连接到电源端，所述第四NMOS晶体管的源极和第五NMOS晶体管的源极均连接到第一NMOS晶体管的源极，所述第三PMOS晶体管的栅极分别和第四NMOS晶体管的栅极、第四PMOS晶体管漏极、第五NMOS晶体管的漏极以及第二PMOS晶体管的源极连接，所述第三PMOS晶体管的漏极分别和第一PMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极，第四PMOS晶体管的栅极以及第五NMOS晶体管的栅极连接。