[发明专利]表面保护膜、制造方法和衬底加工层叠体

说明书

本发明为表面保护膜、制造方法和衬底加工层叠体。能够将包括基膜和其上的树脂膜的表面保护膜与具有电路形成表面的衬底接合并且在加工后与其分离。该树脂膜由树脂组合物形成，该树脂组合物包括(A)含有硅亚苯基‑硅氧烷骨架的树脂、(B)能够与该树脂中的环氧基反应以形成交联结构的化合物、(C)固化催化剂、和(D)脱模剂。

相关申请的交叉引用

本非临时申请在35U.S.C.§119(a)下要求于2016年2月4日在日本提交的专利申请No.2016-019725的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及可在衬底的加工过程中使用的表面保护性材料。与具有待保护的表面的衬底的处理相关联，该处理包括衬底中通孔或贯通电极的形成和衬底的精密加工(例如，电路形成)，本发明涉及表面保护膜，将该表面保护膜临时地接合于衬底表面以保护表面免受缺陷、冲击、污渍等。其也涉及衬底加工层叠体和制备表面保护膜的方法。

背景技术

目前的电子技术在探究具有多个竖直堆叠的半导体部件的堆叠结构。与该堆叠结构相关联，制造半导体芯片的方法包括如下步骤：将高纯度硅单晶锭切成晶片；在该晶片的前表面上形成所需的电路图案以形成集成电路；采用研磨机对该晶片的背表面进行研磨至约25-200μm的晶片厚度；贯通晶片打孔；在其中形成电极，称为硅通孔(TSV)；和在竖直方向上将TSV电极连接以由此增加集成度。

在采用TSV之前，在硅衬底上形成电路的步骤中，必须认真检查衬底的背表面是否被损伤或污染，原因在于电路只在前表面上。在前表面和背表面上都形成并且连接电路的TSV结构中，有必要在加工一表面时保护另一表面。要求在该步骤中使用的保护部件具有耐热性、耐压性和耐化学性。另外要求在加工结束时能够容易地将该保护部件除去。

在该应用中，接合力和耐压性是关键的。具体地，必须使保护部件接合于晶片或衬底而没有留下间隙，并且具有充分的接合力和耐压性以承受随后的步骤。在加工结束时，能够将保护部件顺利地从晶片或衬底剥离而没有在衬底表面上留下任何树脂残渣、树脂组分或添加剂组分。

目前为止，致力于用于保护晶片表面的表面保护膜和树脂组合物。例如，专利文献1公开了可借助UV剥离的旨在用于晶片背面研磨的表面保护膜。一旦使该膜接合于晶片的前表面，则在保护前表面(例如，电路)的同时可对背表面进行研磨。为了去除而照射UV，这意味着剥离步骤繁杂，或者昂贵的UV照射设备是必需的。增加的步骤费用是不利的。专利文献2公开了没有将UV用于去除的旨在用于晶片背面研磨的表面保护性带材。在背表面研磨过程中使该带材适应于前表面保护。该带材具有强接合力使得在背表面研磨过程中即使在重冲击下也不会使该带材分离。反过来这意味着该带材难以剥离，暗示将该带材从中剥离时能够使薄晶片断裂的危险性。由于该带材旨在用于背表面研磨，因此没有预期使用水以外的溶剂。如果使用溶剂，则能够使该带材中的粘合剂组分溶解或改变。存在将该带材不经意地或者困难地从晶片表面剥离的可能性。对于背表面研磨以外的应用，在专利文献3中公开了蚀刻过程中使用的保护膜。该保护膜在蚀刻过程中具有耐化学性。该膜包括薄的压敏粘合剂层，其难以填埋衬底表面上的凹凸(例如，电路和通孔)。

引用列表

专利文献1：JP-A 2014-017336

专利文献2：JP-A 2013-199623

专利文献3：JP-A H10-284444

发明内容

本发明的目的是提供表面保护膜，其可接合于衬底，对在电路形成或者另外衬底的加工中采用的化学品、热和压力具有耐受性，并且在加工结束时可从衬底剥离而无需UV照射等并且没有留下残渣；使用其的衬底加工层叠体；及其制备方法。