[发明专利]等离子体蚀刻的方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻的方法，所述方法包括：

在腔室中装载基板，所述基板包括蚀刻对象，所述腔室包括彼此面对的第一电极和第二电极；以及

蚀刻所述蚀刻对象，蚀刻所述蚀刻对象包括将多个射频能施加到所述第一电极和所述第二电极中的一个，

所述多个射频能包括：

第一射频能，具有在从40MHz至300MHz的范围内的第一频率，所述第一射频能以1kHz的频率被脉冲调制，

第二射频能，具有在从100kHz至10MHz的范围内的第二频率，所述第二射频能以1kHz的频率被脉冲调制，以及

第三射频能，具有在从10kHz至5MHz的范围内的第三频率，所述第三射频能以1kHz的频率被脉冲调制，

其中所述第二射频能和所述第三射频能被同时脉冲化，所述第二射频能和所述第三射频能的初始施加发生在所述第一射频能的至少一个周期之后以稳定所述离子能量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一频率为约60MHz，所述第二频率为约9.8MHz，并且所述第三频率为约400kHz。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

所述第一电极是下电极，

装载所述基板包括将所述基板装载到所述第一电极上，

所述第二电极是上电极，以及

蚀刻所述蚀刻对象包括将所述多个射频能施加到所述下电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其中蚀刻所述蚀刻对象包括：在向所述下电极施加所述第一射频能之后，向所述下电极施加所述第二射频能和所述第三射频能中的至少一个。

5.根据权利要求3所述的方法，其中蚀刻所述蚀刻对象包括同时向所述下电极施加所述第一射频能至所述第三射频能。

6.根据权利要求3所述的方法，其中

所述第三射频能大于所述第一射频能，以及

所述第三射频能大于所述第二射频能。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一射频能在从0W至10000W的范围内，所述第二射频能在从0W至10000W的范围内，并且所述第三射频能在从0W至50000W的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一射频能至所述第三射频能中的至少一个具有与所述第一射频能至所述第三射频能中的其它射频能不同的占空比。

9.根据权利要求3所述的方法，其中蚀刻所述蚀刻对象包括：在所述上电极连接到参考电位时，将所述多个射频能施加到所述下电极。

10.根据权利要求3所述的方法，其中

蚀刻所述蚀刻对象包括向所述上电极供应上射频能，以及

所述上射频能具有在从0MHz至100MHz的范围内的频率。

11.根据权利要求1所述的方法，其中

所述多个射频能还包括第四射频能，

所述第四射频能具有大于所述第三频率且小于所述第二频率的第四频率。