[发明专利]等离子体蚀刻的方法

说明书

本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。

技术领域

发明构思涉及等离子体蚀刻的方法以及使用该方法制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件由于其紧凑的尺寸、多功能和/或低制造成本而被广泛地用于电子产业中。半导体器件使用诸如沉积工艺、离子注入工艺、光刻工艺和蚀刻工艺的各种半导体制造工艺来制造。等离子体可以用于执行半导体制造工艺中的一些。由于半导体器件已经被高度集成，所以半导体器件的结构变得更加复杂。特别地，近来已经发展了具有更复杂结构的半导体器件。因此，半导体制造工艺更加复杂，因此增加的制造时间会用于制造半导体器件。

发明内容

发明构思的一些示例实施方式提供一种等离子体蚀刻的方法以及使用该方法制造半导体器件的方法，其能够容易地形成具有高的高宽比的电路图案。

发明构思的一些示例实施方式提供一种等离子体蚀刻的方法以及使用该方法制造半导体器件的方法，其能够有效地控制各种工艺参数。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻的方法可以包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括向第一电极供应具有彼此不同的频率的多个RF能(RF power)。所述多个RF能可以包括：第一RF能，被配置为在腔室内产生等离子体；第二RF能，被配置为均衡腔室内的等离子体的密度；第三RF能，被配置为使等离子体内的离子入射在基板上；以及第四RF能，被配置为使入射在基板上的离子的离子能量分布均匀。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：在基板上形成模制绝缘层；以及对模制绝缘层执行等离子体蚀刻工艺以形成穿过模制绝缘层的至少一部分的蚀刻开口。执行等离子体蚀刻工艺可以包括：将基板装载到腔室中的第一电极上；以及向第一电极供应具有彼此不同的频率的多个RF能。所述多个RF能可以包括：第一RF能，被配置为在腔室内产生等离子体；第二RF能，被配置为均衡腔室内的所述等离子体的密度；第三RF能，被配置为使等离子体内的离子入射在基板上；以及第四RF能，被配置为使入射在基板上的离子的离子能量分布均匀。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻的方法可以包括：将基板装载到腔室中，该基板包括蚀刻对象；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。所述多个RF能可以包括：第一RF能，具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率；第二RF能，具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率；以及第三RF能，具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种等离子体蚀刻的方法可以包括：将基板装载到腔室中的下电极上，该基板包括蚀刻对象，该腔室包括下电极和面对下电极的上电极；以及在腔室中产生等离子体以蚀刻该蚀刻对象。产生等离子体可以包括：将第一源RF能施加到下电极和上电极中的一个；以及在施加第一源RF能之后，施加多个偏置RF能到下电极。所述多个偏置RF能可以包括：第一偏置RF能，具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的频率；以及第二偏置RF能，具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的频率。