[发明专利]像素限定层及其制备方法、OLED基板及其制备方法有效
申请号: | 201710064403.6 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN106784409B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 侯文军;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;B41J2/01 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素限定层 膜层 制备 第一膜层 网格状 镂空位置 喷墨打印 去除 反光二极管 构图工艺 有机电致 直接形成 制备工艺 侧边 基板 基底 | ||
1.一种像素限定层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;
去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形;其中,
所述在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上的步骤,具体包括:
在基底上形成第一膜层;
在完成上述步骤的基底上形成,通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第二膜层下沉至所述第一膜层与所述基底之间。
2.根据权利要求1所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形的步骤,具体包括:
对所述第一膜层和第二膜层进行前烘,之后进行曝光、显影去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的第二膜层的侧边,最后采用后烘、退火工艺形成像素限定层的图形。
3.根据权利要求1所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述第一膜层为有机膜层。
4.根据权利要求3所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述有机膜层包括聚酰亚胺、PMMA光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、有机硅光刻胶中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述第二膜层为无机膜层。
6.根据权利要求5所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述无机膜层包括二氧化硅水溶液体系或者二氧化硅醇溶液体系。
7.一种像素限定层,其特征在于,由权利要求1-6中任一项所述的像素限定层的制备方法制备。
8.一种有机电致发光二极管基板的制备方法,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的像素限定层的制备方法。
9.一种有机电致发光二极管基板,其特征在于,由权利要求8所述的有机电致发光二极管基板的制备方法制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择