[发明专利]像素限定层及其制备方法、OLED基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710064403.6 申请日: 2017-02-04
公开(公告)号: CN106784409B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 侯文军;刘则 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32;B41J2/01
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素限定层 膜层 制备 第一膜层 网格状 镂空位置 喷墨打印 去除 反光二极管 构图工艺 有机电致 直接形成 制备工艺 侧边 基板 基底
【权利要求书】:

1.一种像素限定层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;

去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形;其中,

所述在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上的步骤,具体包括:

在基底上形成第一膜层;

在完成上述步骤的基底上形成,通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第二膜层下沉至所述第一膜层与所述基底之间。

2.根据权利要求1所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形的步骤,具体包括:

对所述第一膜层和第二膜层进行前烘,之后进行曝光、显影去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的第二膜层的侧边,最后采用后烘、退火工艺形成像素限定层的图形。

3.根据权利要求1所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述第一膜层为有机膜层。

4.根据权利要求3所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述有机膜层包括聚酰亚胺、PMMA光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、有机硅光刻胶中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述第二膜层为无机膜层。

6.根据权利要求5所述的像素限定层的制备方法,其特征在于,所述无机膜层包括二氧化硅水溶液体系或者二氧化硅醇溶液体系。

7.一种像素限定层,其特征在于,由权利要求1-6中任一项所述的像素限定层的制备方法制备。

8.一种有机电致发光二极管基板的制备方法,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的像素限定层的制备方法。

9.一种有机电致发光二极管基板,其特征在于,由权利要求8所述的有机电致发光二极管基板的制备方法制备。

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