[发明专利]像素限定层及其制备方法、OLED基板及其制备方法有效
申请号: | 201710064403.6 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN106784409B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 侯文军;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;B41J2/01 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素限定层 膜层 制备 第一膜层 网格状 镂空位置 喷墨打印 去除 反光二极管 构图工艺 有机电致 直接形成 制备工艺 侧边 基板 基底 | ||
本发明提供一种像素限定层及其制备方法、有机电致反光二极管基板及其制备方法,属于显示技术领域。本发明的像素限定层的制备方法,包括:在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形。在本发明的像素限定层的制备方法中,通过喷墨打印的方式直接形成位于第一膜层下方的、网格状的第二膜层,去除与网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层,以形成包括像素限定层,也即仅通过一次构图工艺就可以形成像素限定层的图形,从而简化了制备工艺。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种像素限定层及其制备方法、有机电致反光二极管基板及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此,利用有机电致发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
现有技术中,针对有机薄膜电致发光器件,其有机电致发光层形成方法有:一、真空蒸镀方法,适用于有机小分子,其特点是有机电致发光层的形成不需要溶剂,薄膜厚度均一,但是设备投资大、材料利用率低、不适用于大尺寸产品的生产;二、采用有机电致发光材料的溶液制成有机电致发光层,包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等,适用于聚合物材料和可溶性小分子,其特点是设备成本低,在大规模、大尺寸生产上优势突出。特别是喷墨打印技术,能将溶液精准的喷墨到像素区中,形成有机电致发光层。但是其最大的难点是有机电致发光材料的溶液在像素区内难以形成厚度均一的有机电致发光层。
在日本专利JP2008243406中公开了一种有机薄膜电致发光器件制备方法,其中,像素界定层(PLD)由两层组成,第一层(下层)由无机亲性材料(亲性材料对有机电致发光材料的溶液有吸引性)组成,第二层(上层)由有机疏性材料(疏性材料对有机电致发光材料的溶液有排斥性)组成,采用两层浸润性不同的材料组成的像素界定层,能够使有机电致发光材料的溶液精准地喷墨打印和形成厚度均一的有机电致发光材料薄膜;在制备像素界定层时需要先做无机亲性材料层,在无机亲性液材料层上制备有机疏性材料层,再将两层材料通过构图工艺制成像素界定层。同样,在欧洲专利EP0989778A1公开了在基底上形成两层结构的像素界定层的方法,通过使用等离子体共同处理,使之第一层(下层)具有高表面能(亲性材料),第二层(上层)具有低表面能(疏性材料),也能满足精确地喷墨打印和薄膜均一性的需求。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:两层结构的像素界定层制备要通过两步完成制备,步骤繁琐,需要投入不同的设备,尤其是涉及到亲性材料,特别是无机亲性材料时要用到等离子体增强化学气相沉积(PECVD),设备昂贵。此外,由于有机无机材料之间存在界面问题,易发生分层。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种制备工艺简单的像素限定层及其制备方法、有机电致反光二极管基板及其制备方法。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种像素限定层的制备方法,包括如下步骤:
在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;
去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形。
优选的是,所述在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上的步骤,具体包括:
在基底上形成第一膜层;
在完成上述步骤的基底上形成,通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第二膜层下沉至所述第一膜层与所述基底之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710064403.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板的制造方法
- 下一篇:用于离心式抛丸机的叶片及离心式抛丸机的维护方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择