[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

沿所述第1方向延伸的第1配线、

沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第2配线、及

配置在所述第1配线及所述第2配线的交叉部的存储单元；

所述存储单元具有在与所述第1及第2方向交叉的第3方向依序积层的、电阻发生电性变化的第1膜、导电性的第2膜、及绝缘性的第3膜。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2膜的所述第3方向的厚度比所述第2膜的所述第1方向及所述第2方向中至少一个方向的厚度更厚。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1膜含有氧化铪HfO₂。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2膜含有金属。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第3膜含有氧化硅SiO₂。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1膜具有长丝。

7.一种半导体存储装置，包括：

沿相互交叉的第1及第2方向扩展的半导体基板、

排列在与所述第1及第2方向交叉的第3方向、且沿所述第1方向延伸的多个第1配线、

沿所述第3方向延伸的第2配线、及

配置在所述多个第1配线及所述第2配线的交叉部的多个存储单元，

一个所述存储单元具有沿所述第2方向依序积层的、电阻发生电性变化的第1膜、导电性的第2膜、及绝缘性的第3膜。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第2膜的所述第2方向的厚度比所述第2膜的所述第1方向及所述第3方向中的至少一个方向的厚度更厚。

9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第2膜的所述第2方向的厚度比所述第1膜的所述第2方向的厚度更厚。

10.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第1膜含有氧化铪HfO₂。

11.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第2膜含有金属。

12.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第3膜含有氧化硅SiO₂。

13.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第1膜具有长丝。

14.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中在所述第3方向上邻接的2个所述存储单元的第1膜是一体的。

15.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中在所述第3方向上邻接的2个所述存储单元的第2膜在所述2个存储单元间分离。

16.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中在所述第3方向上邻接的2个所述存储单元的第3膜是一体的。

17.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其还包括配置于在所述第3方向上邻接的2个所述第1配线间的第1绝缘膜，

所述2个第1配线的朝向所述第2方向的侧面比所述第1绝缘膜的朝向所述第2方向的侧面在所述第2方向更凹陷。

18.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其还包括在所述第3方向上夹着一个所述第1配线的2个第1绝缘膜，

所述第3膜接触于所述2个第1绝缘膜中的一个的朝向所述第2方向的侧面及上表面、所述第1配线的朝向所述第2方向的侧面、以及所述2个第1绝缘膜的另一底面及朝向所述第2方向的侧面。

19.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第2膜的朝向所述第2方向的侧面与所述第3膜的朝向所述第2方向的侧面配置在同一平面内。

20.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其还包括配置于在所述第3方向上邻接的2个所述第1配线间的第1绝缘膜，

所述第1膜在与所述第1绝缘膜相同的所述第3方向的位置接触于所述第3膜。