[发明专利]具有双面细线重新分布层的封装基材

权利要求书

1.一种具有双面细线重新分布层的封装基材，包括第一重新分布层、第二重新分布层和第三重新分布层，其特征是，

所述第一重新分布层具有埋设在多个第一介电层中的第一电路；所述第一电路包括配置在所述第一重新分布层的顶侧上的多个第一上层金属垫和配置在所述第一重新分布层的底侧上的多个第一下层金属垫；所述第一下层金属垫的密度高于所述第一上层金属垫的密度；所述第一下层金属垫的底侧适于安装至少一个芯片；

所述第二重新分布层配置在所述第一重新分布层的所述顶侧上，具有埋设在多个第二介电层中的第二电路；所述第二电路包括配置在所述第二重新分布层的顶侧上的多个第二上层金属垫和配置在所述第二重新分布层的底侧上的多个第二下层金属垫；所述第二电路通过多个第一纵向导通金属电性耦合到所述第一电路；

所述第三重新分布层配置在所述第二重新分布层的所述顶侧上，具有埋设在多个第三介电层中的第三电路；所述第三电路通过多个第二纵向导通金属电性耦合到所述第二电路；所述第三电路包括配置在所述第三重新分布层的顶侧上的多个第三上层金属垫和配置在所述第三重新分布层的底侧上的多个第三下层金属垫；所述第三上层金属垫的密度高于所述第三下层金属垫的密度；所述第三上层金属垫的顶侧适于安装至少一个芯片；

所述第二电路的每个电路的线宽比所述第一电路的每个电路的线宽宽；所述第二电路的每个电路的线宽比所述第三电路的每个电路的线宽宽。

2.如权利要求1所述的具有双面细线重新分布层的封装基材，其特征是，每个第一上层金属垫通过相应的第一纵向导通金属电性耦合到相应的第二下层金属垫；每个第三下层金属垫通过相应的第二纵向导通金属电性耦合到相应的第二上层金属垫。

3.根据权利要求2所述的具有双面细线重新分布层的封装基材，其特征是，所述第二重新分布层具有延伸超出所述第一重新分布层或是所述第三重新分布层中的一个的侧边的延伸区域，并且暴露在所述第二重新分布层的延伸区域的顶侧上的至少一个连接金属垫。

4.根据权利要求3所述的具有双面细线重新分布层的封装基材，其特征是，还包括软性电路板，该软性电路板具有至少一个金属垫，适于电性耦合到暴露在所述第二重新分布层的所述延伸区域上的所述至少一个连接金属垫。

5.根据权利要求4所述的具有双面细线重新分布层的封装基材，其特征是，所述第一介电层的最上层与所述第二介电层的最下层直接接触，所述第二介电层的最上层与所述第三介电层的最下层直接接触。

6.一种具有双面细线重新分布层的封装基材的制作方法，其特征是，包括如下步骤：

制备暂时承载板，在所述暂时承载板的顶表面上设置释放层；并且在所述释放层的顶表面上设置基底介电层；

在所述基底介电层的顶表面上形成第一重新分布层；所述第一重新分布层具有第一电路埋设于多层第一介电层中；

在所述第一重新分布层的顶表面上形成第二重新分布层；所述第二重新分布层具有第二电路埋设于多层第二介电层中；

在所述第二重新分布层的顶表面上形成第三重新分布层；所述第三重新分布层具有第三电路埋设于多层第三介电层中；其中：

所述第二电路的每个电路的线宽至少是所述第一电路的每个电路的线宽的两倍；并且所述第二电路的每个电路的线宽度是所述第三电路的每个电路的线宽度的至少两倍；以及

所述第一介电层的最上层与所述第二介电层的最下层直接接触、所述第二介电层的最上层与所述第三介电层的最下层直接接触。

7.根据权利要求6所述的具有双面细线重新分布层的封装基材的制作方法，其特征是，还包括如下步骤：

从侧边蚀刻所述第三介电层的一部分，暴露所述第二重新分布层的所述顶表面，并且暴露所述第二重新分布层的所述顶表面上的至少一个连接金属垫。

8.根据权利要求7所述的具有双面细线重新分布层的封装基材的制作方法，还包括如下步骤：

制备软性电路板，具有至少一个金属垫暴露在所述软性电路板一侧，适于电性耦合到暴露在所述第二重新分布层的所述顶表面上的所述至少一个连接金属垫。