[发明专利]一种激光退火方法

权利要求书

1.一种激光退火方法，包括以下步骤：

提供半导体晶圆；

通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；

其特征在于，

所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；

其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；

其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束斑为线形激光束斑。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束斑的扫描路径为圆弧形。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光束斑的扫描路径的半径与所述半导体晶圆的半径一致。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆的中心位于所述第一区域内。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域的面积是所述第二区域面积的2倍以上。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二区域的边缘排除尺寸大于所述第一区域的边缘排除尺寸。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二区域内相邻两次扫描的间隔时间大于所述第一区域内相邻两次扫描的间隔时间。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆还包括位于所述半导体晶圆边缘的第三区域、第四区域，其中，所述第三区域与所述第一区域相邻，所述第四区域与所述第二区域相邻，所述第三区域与所述第四区域之间存在间隔并位置相对，依次对所述半导体晶圆的第三区域、第一区域、第二区域、第四区域进行扫描。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述第四区域进行反向扫描。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域的边缘排除的尺寸为1.2mm-1.5mm。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二区域的边缘排除的尺寸为3.2mm-3.5mm。

13.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光束斑的步进距离等于所述激光束斑长度的一半。