[发明专利]一种激光退火方法

说明书

本发明提供一种激光退火方法，所述方法包括:提供半导体晶圆，所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。根据本发明提供的激光退火方法，半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域，扫描第一区域时边缘排除的尺寸与扫描第二区域时边缘排除的尺寸不同，扫描第一区域时相邻两次扫描的间隔时间与扫描第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同，从而避免半导体晶圆发生破损，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种激光退火方法。

背景技术

激光热处理加工包括用于半导体晶圆熔性或者非熔性的激光退火，激光辅助的薄膜生长，激光作用下非晶材料相变(用于制作多晶薄膜器件，太阳能电池)等等。以激光扫描半导体晶圆对半导体晶圆进行退火工艺(laser spike annealing，LSA)，已广泛应用于半导体加工行业中。由于不同波长的激光在半导体晶圆中的吸收深度不同，激光退火具有退火深度可控的特点。因此，无论是在32nm及其以下技术节点器件的超浅PN结制备工艺中，还是在功率半导体器件的背面处理工艺中，激光退火技术都显示出不可替代的优势。

在激光退火工艺过程中，通常将激光束经由一激光匀化整形器投射于晶圆形成线形激光束斑，通过线形激光束斑均匀地扫描整个半导体晶圆，来达到退火目的。采用线形激光束斑扫描半导体晶圆的方法是，由激光器所产生的激光束斑对从所述半导体晶片的上端自左往右地扫描；接着，调整所述激光束斑下移一定距离，进行第二行扫描，激光束斑对所述半导体晶片自右往左地扫描；重复上述各步骤，直至激光束斑将所述半导体晶片整个地扫描一遍，完成激光退火工艺。

但是在根据现有工艺进行生产过程中，半导体晶圆在激光退火过程中易发生破损。因此，有必要提出一种新的激光退火方法，能有效避免半导体晶圆在激光退火过程中发生破损，提高产品良率。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种激光退火方法，包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域；

通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火；

其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸，与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同；

其中，所述激光束斑扫描所述第一区域时相邻两次扫描的间隔时间，与扫描所述第二区域时相邻两次扫描的间隔时间不同。

进一步，所述激光束斑为线形激光束斑。

进一步，所述激光束斑的扫描路径为圆弧形。

进一步，所述激光束斑的扫描路径的半径与所述半导体晶圆的半径一致。

进一步，所述半导体晶圆的中心位于所述第一区域内。

进一步，所述第一区域的面积是所述第二区域面积的2倍以上。

进一步，所述第二区域的边缘排除尺寸大于所述第一区域的边缘排除尺寸。

进一步，所述第二区域内相邻两次扫描的间隔时间大于所述第一区域内相邻两次扫描的间隔时间。