[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法、以及含RAMO4基板在审
| 申请号： | 201710068240.9 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN107190324A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 冈山芳央;信冈政树 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B19/02;C30B19/12;C30B29/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 以及 ramo4 基板 | ||
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：
准备含RAMO4基板的基板准备工序，所述含RAMO4基板具有包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板、以及在所述RAMO4基板的外延生长面以外的区域形成的保护层，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素；和
结晶形成工序，在所述含RAMO4基板的未被所述保护层被覆的区域，通过助熔剂法形成III族氮化物结晶。
2.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，
所述含RAMO4基板在所述RAMO4基板的所述外延生长面上还具有包含III族氮化物的晶种层，
所述结晶形成工序是在所述晶种层上形成所述III族氮化物结晶的工序。
3.如权利要求2所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，
所述含RAMO4基板在所述RAMO4基板与所述晶种层之间还具有包含III族氮化物的低温缓冲层。
4.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，
在所述含RAMO4基板中，所述保护层被覆所述RAMO4基板的侧面。
5.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，
所述含RAMO4基板在所述保护层与所述RAMO4基板之间还具有保护层侧缓冲层，
所述保护层侧缓冲层的线膨胀系数为所述保护层的线膨胀系数与所述RAMO4基板的线膨胀系数之间的值。
6.如权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，
所述通式中的R为Sc，A为Al，M为Mg。
7.一种含RAMO4基板，其具有：
包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素；和
在所述RAMO4基板的外延生长面以外的区域形成的保护层。
8.如权利要求7所述的含RAMO4基板，其中，
所述保护层被覆所述RAMO4基板的侧面。
9.如权利要求7所述的含RAMO4基板，其中，
在所述RAMO4基板的外延生长面上，还具有包含III族氮化物的晶种层。
10.如权利要求9所述的含RAMO4基板，其中，
在所述RAMO4基板的外延生长面与所述晶种层之间，还具有包含III族氮化物的低温缓冲层。
11.如权利要求7所述的含RAMO4基板，其中，
在所述RAMO4基板与所述保护层之间，还具有保护层侧缓冲层，
所述保护层侧缓冲层的线膨胀系数为所述保护层的线膨胀系数与所述RAMO4基板的线膨胀系数之间的值。
12.如权利要求7所述的含RAMO4基板，其中，所述通式中的R为Sc，A为Al，M为Mg。
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