[发明专利]一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路

权利要求书

1.一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，包括集成在封装管壳内部对输入信号依次进行放大的前级放大电路和后级放大电路，还包括为前级放大电路和后级放大电路进行供电的供电电路；

前级放大电路包括GaN驱动功率放大器；后级放大电路包括GaN芯片、两级匹配电路和偏置电路；两级匹配电路的第一级T型匹配电路由串联电感和匹配电容串联，第二级为输入阻抗变换线和输出阻抗变换线；偏置电路包括设置在GaN芯片输入和输出端的四分之一波长线和与波长线并联的偏置电容；

GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极分别共用同一个电源。

2.根据权利要求1所述的一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，还包括一分压电路，使前、后级放大电路中的GaN驱动功率放大器和GaN芯片达到所需的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，所述的串联电感由键合金丝形成。

4.根据权利要求1所述的一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极供电线路上分别接入滤波电容。

5.根据权利要求1所述的一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，输入信号经信号输入端输入GaN驱动功率放大器放大后，经过输入阻抗变换线、由匹配电容和串联电感组成的T型匹配电路，输入GaN芯片的栅极，再从GaN芯片漏极输出，依次经过由匹配电容和串联电感组成的T型匹配电路、输出阻抗变换线，最后传送到信号输出端。

6.根据权利要求5所述的一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，后级放大电路的信号输出端还贴有隔直电容。

7.根据权利要求1或2所述的一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，供电电路中的栅极供电端分两路，一路经第三电阻、第一供电传输线、第一偏置电容和四分之一波长线，为后级的GaN芯片的栅极供电；另外一路经第二电阻、第四滤波电容和第二供电传输线，为前级的GaN驱动功率放大器栅极供电。

8.根据权利要求1或2所述的一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，供电电路中的漏极供电端分两路，一路依次经过并联的第三滤波电容、第二偏置电容和四分之一波长线，传送至后级的GaN芯片的漏极；另外一路依次经过并联的第一滤波电容、第三供电传输线和第二滤波电容，最后传送到前级驱动功率放大器的漏极。