[发明专利]一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种GaN微波功率放大器电路，属于电路技术领域。

背景技术

GaN微波功率器件有着功率密度高，效率高，工作频率更高等特点，在军品和民品市场方面，相比于其他工艺的产品具有较大的优势，因此得到了广泛应用。目前由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封装管壳进行器件封装，器件内部空间有限，需要放入GaN芯片、阻抗变换电路、偏置电路等，能放入的部件有限，这就使器件的增益有了一定局限性。在这样的条件下，要实现高增益的方案比较困难。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路。

为解决上述技术问题，本发明提供一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，其特征是，包括集成在封装管壳内部对输入信号依次进行放大的前级放大电路和后级放大电路，还包括为前级放大电路和后级放大电路进行供电的供电电路；

前级放大电路包括GaN驱动功率放大器；后级放大电路包括GaN芯片、两级匹配电路和偏置电路；两级匹配电路的第一级T型匹配电路由串联电感和匹配电容串联，第二级为输入阻抗变换线和输出阻抗变换线；偏置电路包括设置在GaN芯片输入和输出端的四分之一波长线和与波长线并联的偏置电容；

GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极分别共用同一个电源。

还包括一分压电路，使前、后级放大电路中的GaN驱动功率放大器和GaN芯片达到所需的阈值电压。

所述的串联电感由键合金丝形成。

GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极供电线路上分别接入滤波电容。

输入信号经信号输入端输入GaN驱动功率放大器放大后，经过输入阻抗变换线、由匹配电容和串联电感组成的T型匹配电路，输入GaN芯片的栅极，再从GaN芯片漏极输出，依次经过由匹配电容和串联电感组成的T型匹配电路、输出阻抗变换线，最后传送到信号输出端。

后级放大电路的信号输出端还贴有隔直电容。

供电电路中的栅极供电端分两路，一路经第三电阻、第一供电传输线、第一偏置电容和四分之一波长线，为后级的GaN芯片的栅极供电；另外一路经第二电阻、第四滤波电容和第二供电传输线，为前级的GaN驱动功率放大器栅极供电。

供电电路中的漏极供电端分两路，一路依次经过并联的第三滤波电容、第二偏置电容和四分之一波长线，传送至后级的GaN芯片的漏极；另外一路依次经过并联的第一滤波电容、第三供电传输线和第二滤波电容，最后传送到前级驱动功率放大器的漏极。

本发明所达到的有益效果：

在有限的管壳内部加入了两级放大电路，使得输出增益大大提高，针对C波段设计的内部偏置电路的加入有效节省了管壳外围PCB电路的铺设空间。另外，内部分压电路使得前后两级放大电路可以共用同一个栅极电压和同一个漏极电压，节省PCB空间。

附图说明

图1是本发明的C波段高增益微波功率放大器电路结构示意图；

图2是前级GaN驱动功率放大器示意图；

图3是后级GaN芯片示意图；

图4是分压电路示意图；

图中标记的含义：

1-封装管壳；2-信号输入端引脚；3-信号输出端引脚；4-栅极供电端；5-漏极供电端；6-GaN驱动功率放大器；7-GaN芯片；8-匹配电容；91-输入阻抗变换线；92-后级栅极偏置线；93-前级漏极供电传输线；101-后级输出阻抗变换线；102-后级漏极偏置线；11-供电传输线（集成分压电阻）；12-前级栅极供电传输线；13后级栅极供电传输线；14-滤波电容；141、142、143、144-滤波电容；151、152-偏置电容；16-键合金丝（图中所有器件之前相连的线段）；17-隔直电容；

61-栅极；62-漏极；63-信号输入端；64-信号输出端；

71-栅极（即信号输入端）；72-漏极（即信号输出端）；

111-电阻；112-分压电阻；113-电阻；114-电阻；115-电阻。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

本实施例整体由两部分组成，前级放大电路和后级放大电路。信号通过前级被放大，接着通过后级，并被进一步放大。前级主要是用了一个GaN驱动功率放大器6；后级主要由一个GaN芯片7和两级匹配电路组成；封装管壳1内部还集成了对前、后级的供电电路。