[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

布置在所述基板上的数据线；

布置在所述基板上的缓冲层，所述缓冲层与所述数据线隔开；

布置在所述缓冲层上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层；以及连接到所述薄膜晶体管的像素电极，

其中所述缓冲层包括：

与所述氧化物半导体层重叠的第一区域；以及

从所述第一区域延伸的第二区域，所述第二区域比所述第一区域薄。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

与所述数据线布置在同一层上的光阻挡层，所述光阻挡层与所述薄膜晶体管重叠，其中，所述缓冲层与所述光阻挡层重叠。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述薄膜晶体管进一步包括：

与所述氧化物半导体层布置在同一层上的源电极，所述源电极被连接到所述氧化物半导体层的第一侧；

与所述氧化物半导体层布置在所述同一层上的漏电极，所述漏电极被连接到所述氧化物半导体层的第二侧；以及

与所述氧化物半导体层重叠的栅电极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述源电极和所述漏电极包括从所述氧化物半导体层还原的材料。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第一区域与所述氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极重叠。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

布置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅绝缘层，

其中：

所述数据线在第一方向上延伸；并且

所述栅绝缘层在所述第一方向上的宽度大于所述栅电极在所述第一方向上的宽度。

7.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

布置在所述基板上的数据线；

布置在所述基板上并且在平面图中与所述数据线隔开的缓冲层；

布置在所述缓冲层上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层；

连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及

与所述数据线布置在同一层上的光阻挡层，所述光阻挡层与所述薄膜晶体管重叠，其中，所述缓冲层与所述光阻挡层重叠，并且

其中：

所述缓冲层包括第一区域和第二区域；

所述第一区域和所述第二区域的厚度不同；并且

所述第二区域与所述光阻挡层的边缘重叠。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述薄膜晶体管进一步包括：

与所述氧化物半导体层布置在同一层上的源电极，所述源电极被连接到所述氧化物半导体层的第一侧；

与所述氧化物半导体层布置在所述同一层上的漏电极，所述漏电极被连接到所述氧化物半导体层的第二侧；以及

与所述氧化物半导体层重叠的栅电极，并且

其中，所述源电极和所述漏电极包括从所述氧化物半导体层还原的材料。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第一区域与所述氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极重叠。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

布置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅绝缘层，

其中：

所述数据线在第一方向上延伸；并且

所述栅绝缘层在所述第一方向上的宽度大于所述栅电极在所述第一方向上的宽度。