[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；布置在基板上的数据线；布置在基板上并且在平面图中与数据线隔开的缓冲层；布置在缓冲层上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括氧化物半导体层；以及连接到薄膜晶体管的像素电极。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年3月24日提交的韩国专利申请第10-2016-0035386号的优先权及其权益，在此为了所有目的通过引用将该韩国专利申请并入本文，如同在本文中充分地阐述一样。

技术领域

本公开涉及薄膜晶体管阵列面板。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)被用于各种电子设备，诸如，例如，显示设备。在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器等等中，薄膜晶体管可被用作开关元件或驱动元件。典型地，薄膜晶体管包括栅电极、源电极、面对源电极的漏电极、以及电连接到源电极和漏电极的半导体。半导体的特性通常决定薄膜晶体管的特性。

硅(Si)通常被用作用于半导体的元素。根据硅晶体形态，硅可被分为非晶硅和多晶硅。非晶硅提供相对低的电荷迁移率并允许相对简单的制造工艺，但是将非晶硅运用在高性能薄膜晶体管的制造中可能出现问题。通常利用一阶段使硅结晶以形成多晶硅，多晶硅提供相对高的电荷迁移率，但是其制造成本相对较高并且制造工艺相对更复杂。为了补充非晶硅和多晶硅在薄膜晶体管中的利用，已经努力开发了使用氧化物半导体的薄膜晶体管，氧化物半导体具有比非晶硅相对较高的载流子迁移率和更大的开/关(ON/OFF)比，以及比多晶硅相对较低的成本和更高的均匀性。

本背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于加深对本发明构思的背景的理解，因此其可包含不形成对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

一个或多个示例性实施例提供了薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板被配置成防止(或至少减少)机械和视角特性的恶化。

一个或多个示例性实施例提供了利用简化的制造工艺制造薄膜晶体管的方法。

附加方面将在下面的具体实施方式中阐述并且将部分地从本公开中明白，或者可通过本发明构思的实践来学习。

根据一个或多个示例性实施例，薄膜晶体管阵列面板包括：基板；布置在基板上的数据线；布置在基板上并且在平面图中与数据线隔开的缓冲层；布置在缓冲层上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括氧化物半导体层；以及连接到薄膜晶体管的像素电极。

根据一个或多个示例性实施例，用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在基板上形成数据线；在基板和数据线上形成缓冲材料层；在缓冲材料层上形成第一氧化物半导体图案；在第一氧化物半导体图案上形成栅绝缘层图案和栅电极；以及通过蚀刻缓冲材料层的一部分形成缓冲层，该部分在平面图中与栅绝缘层图案和栅电极隔开。

根据一个或多个示例性实施例，薄膜晶体管阵列面板包括基板、数据线、缓冲层、薄膜晶体管和像素电极。数据线被布置在基板的第一区域上。缓冲层被布置在基板的第二区域上，第二区域与第一区域隔开。薄膜晶体管被布置在缓冲层上。薄膜晶体管包括氧化物半导体层。像素电极连接到薄膜晶体管。缓冲层包括第一区域和第二区域。第一区域与氧化物半导体层重叠。第二区域从第一区域延伸并且比第一区域薄。

根据一个或多个示例性实施例，用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在基板上形成数据线；在基板和数据线上形成缓冲材料层；在缓冲材料层上形成第一氧化物半导体图案；在第一氧化物半导体图案上形成栅绝缘层图案和栅电极；从第一氧化物半导体图案形成第二氧化物半导体图案，第二氧化物半导体图案的形成从缓冲材料层形成缓冲材料层图案；以及从缓冲材料层图案形成缓冲层。缓冲层包括第一部分和第二部分。第一部分与第二氧化物半导体图案重叠。第二部分从第一部分延伸并且比第一部分薄。