[发明专利]一种高压ESD保护电路有效
| 申请号： | 201710069229.4 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400578B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李发宁;马侠 | 申请（专利权）人： | 钜泉光电科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 200120 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 esd 保护 电路 | ||
1.一种高压ESD保护电路，其特征在于，包括，
一输入/输出端口(I/O)，于ESD应力事件发生后，输入ESD电流；
第一电源轨，提供一高压电源(VDDHV)，所述高压电源(VDDHV)通过第一ESD泄放单元(HVpLDMOS1)与所述输入/输出端口(I/O)相连；
第二电源轨，提供一高压地(VSSH)，所述高压地(VSSHV)通过一第二ESD泄放单元(HVnLDMOS2)与所述输入/输出端口(I/O)相连；
一第三ESD高压泄放NMOS管(HVnLDMOS1)，连接于所述高压电源(VDDHV)和所述高压地(VSSHV)之间；所述第三ESD高压泄放NMOS管(HVnLDMOS1)的栅极与所述高压电源(VDDHV)之间连接一串联的第一电容(C1)和第二电容(C2)，所述第三ESD高压泄放NMOS管(HVnLDMOS1)的栅极和所述高压地(VSSHV)之间存在一栅源寄生电容(Cgs)；
所述第一ESD泄放单元(HVpLDMOS1)采用高压PMOS管，所述高压PMOS管的栅极与所述高压电源(VDDHV)之间连接第一栅极保护电阻；
还包括一钳位电路，连接于所述高压电源(VDDHV)和所述高压地(VSSHV)之间，用于分别钳位所述第一电容(C1)和所述第二电容(C2)两端的电压使其保持为所述高压电源(VDDHV)的数值的一半；
所述钳位电路包括串联于所述高压电源(VDDHV)和所述高压地
(VSSHV)之间的第一倒比MOS管和第二倒比MOS管，所述第一倒比MOS管和第二倒比MOS管之间相串联的点与所述第一电容(C1)和第二电容(C2)之间相串联的点连接。
2.根据权利要求1所述的高压ESD保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括串联于所述高压电源(VDDHV)和所述高压地(VSSHV)之间的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)之间相串联的点与所述第一电容(C1)和第二电容(C2)之间相串联的点连接。
3.根据权利要求1所述的高压ESD保护电路，其特征在于，所述第二ESD泄放单元(HVnLDMOS2)采用一第二高压NMOS管，所述第二高压NMOS管的栅极与所述高压地(VSSHV)之间连接第二栅极保护电阻。
4.根据权利要求1所述的高压ESD保护电路，其特征在于，所述第三ESD高压泄放NMOS管(HVnLDMOS1)的栅极和所述高压地(VSSHV)之间连接一齐纳稳压二极管(d1)。
5.根据权利要求4所述的高压ESD保护电路，其特征在于，所述齐纳稳压二极管(d1)的两端并联一下拉电阻(R3)。
6.根据权利要求1所述的高压ESD保护电路，其特征在于，所述第一电容(C1)和第二电容(C2)均采用多晶-绝缘层-多晶电容。
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