[发明专利]印刷配线板用积层体及印刷配线板与电子机器的制造方法

权利要求书

1.一种印刷配线板用积层体，被使用于含有通过半加成法、部分加成法、改进半加成法或埋入法中任一方法形成电路的步骤的印刷配线板制造方法，

该积层体依序具有绝缘性树脂基板、金属层1及金属层2，对与该积层体的厚度方向平行的剖面进行离子研磨加工后，在用EBSD观察该加工剖面的该金属层1及该金属层2时，在该加工剖面中该金属层1及该金属层2各自具有一颗或多颗晶粒，该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率，以该金属层1及该金属层2的合计计，为15％以上且未达97％。

2.根据权利要求1所述的印刷配线板用积层体，其中，对与该积层体的厚度方向平行的剖面进行离子研磨加工后，在用EBSD观察该加工剖面的该金属层1时，于该加工剖面中该金属层1具有一颗或多颗晶粒，该金属层1的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率在40％以上。

3.根据权利要求1所述的印刷配线板用积层体，其中，该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率，以该金属层1及该金属层2的合计计，为90％以下。

4.根据权利要求2所述的印刷配线板用积层体，其中，该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率，以该金属层1及该金属层2的合计计，为90％以下。

5.根据权利要求1所述的印刷配线板用积层体，其中，该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率，以该金属层1及该金属层2的合计计，为18％以上。

6.根据权利要求2所述的印刷配线板用积层体，其中，该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率，以该金属层1及该金属层2的合计计，为18％以上。

7.根据权利要求3所述的印刷配线板用积层体，其中，该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率，以该金属层1及该金属层2的合计计，为18％以上。

8.根据权利要求4所述的印刷配线板用积层体，其中，该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒之中，该加工剖面的垂直线与该晶粒的＜100＞结晶方向的角度的偏离在15°以内的晶粒的合计面积相对于该金属层1的一颗或多颗晶粒及该金属层2的一颗或多颗晶粒的合计面积的面积率，以该金属层1及该金属层2的合计计，为18％以上。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的印刷配线板用积层体，其中，对与该积层体的厚度方向平行的剖面进行离子研磨加工后，在观察该加工剖面的该金属层1及该金属层2时，该金属层2的厚度等同于或大于该金属层1的厚度。