[发明专利]一种显示基板、半导体器件及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述制作方法包括：

形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层，其特征在于，形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层的步骤包括：

形成同层设置的第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形；

提供一遮挡层，所述遮挡层包括透光区域和不透光区域；

利用激光通过所述遮挡层照射所述第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形，所述第一非晶硅层图形与所述透光区域的位置对应，所述第二非晶硅层图形与所述不透光区域的位置对应，所述第一非晶硅层图形被激光照射后发生结晶，形成第一多晶硅层，由所述第一多晶硅层形成所述第一有源层，由所述第二非晶硅层图形形成所述第二有源层，所述第一有源层的晶粒尺寸大于所述第二有源层的晶粒尺寸。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用激光通过所述遮挡层照射所述第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形的步骤包括：

首先利用第一激光通过所述遮挡层照射所述第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形，所述第一非晶硅层图形被激光照射后发生结晶，形成一过渡层；

然后利用第二激光通过所述遮挡层照射所述过渡层和第二非晶硅层图形，所述过渡层被激光照射后发生结晶，形成所述第一多晶硅层，其中，所述第一多晶硅层的晶粒尺寸大于所述过渡层的晶粒尺寸。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，提供一遮挡层的步骤包括：

提供一基底；

在所述基底上形成不透光膜层，对所述不透光膜层进行构图工艺，形成所述遮挡层。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，提供一遮挡层的步骤包括：

形成覆盖所述第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形的不透光膜层；

对所述不透光膜层进行构图工艺，形成所述遮挡层；

在利用激光通过所述遮挡层照射所述第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形的步骤之后，所述制作方法还包括：

去除所述遮挡层。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一激光的能量为320～350mj/cm²，所述第二激光的能量为200～350mj/cm²。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一有源层的晶粒直径为280～320nm，所述第二有源层的晶粒直径小于20nm。

7.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括多个像素区域，所述制作方法包括：

在每一像素区域形成一半导体器件，其特征在于，所述制作方法采用权利要求1-6任一项所述的制作方法在每一像素区域形成所述半导体器件。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在每一像素区域形成有机发光二极管；

形成多条栅线和多条数据线，所述栅线和数据线交叉分布，限定所述多个像素区域，所述第一薄膜晶体管的第一栅电极与栅线连接，第一源电极与数据线连接，第一漏电极与所述第二薄膜晶体管的第二栅电极连接；所述第二薄膜晶体管的第二漏电极与所述有机发光二极管的其中一个电极连接。

9.一种显示基板，所述显示基板包括多个像素区域，其特征在于，每一像素区域包括一半导体器件，所述半导体器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一有源层的晶粒尺寸大于所述第二薄膜晶体管的第二有源层的晶粒尺寸。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，每一像素区域还包括有机发光二极管；

所述显示基板还包括多条栅线和多条数据线，所述栅线和数据线交叉分布，限定所述多个像素区域；所述第一薄膜晶体管的第一栅电极与栅线连接，第一源电极与数据线连接，第一漏电极与所述第二薄膜晶体管的第二栅电极连接；所述第二薄膜晶体管的第二漏电极与所述有机发光二极管的其中一个电极连接。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9或10所述的显示基板。