[发明专利]一种显示基板、半导体器件及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板、半导体器件及其制作方法、显示装置。

背景技术

在平板显示技术领域，薄膜晶体管因具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，逐渐在当今平板显示市场占据了主导地位。低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor，简称LTPS TFT)的载流子迁移率更高，且特性更稳定，更容易实现窄边框和高PPI，因此，LTPS技术越来越受市场青睐。

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器又称为有机电激光显示器、有机发光半导体显示器，与液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)是不同类型的发光原理。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，被称为下一代显示技术，很有可能在不久将来取代LCD。

OLED显示器的每一像素区域包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的有源层由同一多晶硅层构成，通过对非晶硅层进行准分子激光退火工艺制得所述多晶硅层。其中，开关薄膜晶体管的栅电极与栅线连接，源电极与数据线连接，漏电极与显示用电极连接，通过栅线制打开薄膜晶体管，数据线上的像素电压通过薄膜晶体管传输至显示用电极，控制显示过程。为了更好地显示不同灰阶，需要减小驱动薄膜晶体管的工作电流I_on＝[uC_ox(W/L)(Vg-Vth)²]/2，u为迁移率，W为沟道宽度，L为沟道长度。现有技术中，为了减小I_on，将驱动薄膜晶体管的沟道长度L做得比较大(如20um以上)，这样就限制了OLED往更高PPI上发展。

发明内容

本发明提供一种显示基板、半导体器件及其制作方法、显示装置，用以解决通过增大薄膜晶体管的沟道长度来减小工作电流的方式，不利于实现高PPI的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述制作方法包括：

形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层，形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层的步骤包括：

形成同层设置的第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形；

提供一遮挡层，所述遮挡层包括透光区域和不透光区域；

利用激光通过所述遮挡层照射所述第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形，所述第一非晶硅层图形与所述透光区域的位置对应，所述第二非晶硅层图形与所述不透光区域的位置对应，所述第一非晶硅层图形被激光照射后发生结晶，形成第一多晶硅层，由所述第一多晶硅层形成所述第一有源层，由所述第二非晶硅层图形形成所述第二有源层，所述第一有源层的晶粒尺寸大于所述第二有源层的晶粒尺寸。

本发明实施例中还提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括多个像素区域，所述制作方法包括：

在每一像素区域形成一半导体器件，所述制作方法采用如上所述的制作方法在每一像素区域形成所述半导体器件。

本发明实施例中还提供一种显示基板，所述显示基板包括多个像素区域，每一像素区域包括一半导体器件，所述半导体器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一有源层的晶粒尺寸大于所述第二薄膜晶体管的第二有源层的晶粒尺寸。

本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，显示基板的每一像素区域包括作为开关元件的第一薄膜晶体管和作为驱动元件的第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层由同一非晶硅层制得。并设置激光通过一遮挡层对非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以使第一有源层的晶化程度大于第二有源层的晶化程度，减小第二薄膜晶体管的工作电流I_on，以更好地显示不同的灰阶，提高显示质量。同时，第一薄膜晶体管具有较大的工作电流I_on，保证第一薄膜晶体管的性能。另外，在满足驱动的前提下，还能够将第二薄膜晶体管的沟道长度做得更小，有利于实现高PPI。

附图说明