[发明专利]一种发光二极管的制备方法有效

申请号：	201710071699.4	申请日：	2017-02-09
公开（公告）号：	CN106910799B	公开（公告）日：	2019-03-08
发明（设计）人：	王世俊;李彤;邢振远;董耀尽	申请（专利权）人：	华灿光电（浙江）有限公司
主分类号：	H01L33/00	分类号：	H01L33/00;H01L33/12;H01L33/02;H01L33/22;H01L33/14
代理公司：	北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138	代理人：	徐立
地址：	322000 浙江省金华市义***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种发光二极管制备方法
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【权利要求书】：

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层和金属反射层；其中，所述第一N型粗化引导层为(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P层，所述第二N型粗化引导层为(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P层，且x＞y；

提供一基板；

将所述金属反射层粘合到所述基板上；

依次去除所述衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；

在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；

去除位于所述第一电极在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型欧姆接触层，以露出所述第一N型粗化引导层；

从所述第一N型粗化引导层远离所述基板的一侧面向靠近所述基板的方向进行粗化处理，且所述粗化处理的粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度；

在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，从所述第一N型粗化引导层远离所述基板的一侧面向靠近所述基板的方向进行粗化处理，包括：

进行多次粗化，以使所述粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度，且在所述多次粗化中，第一次粗化的时间最长。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一次粗化的时间为1～3min。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述粗化深度为1.2～1.7μm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一N型粗化引导层的生长温度为670～685℃。