[发明专利]一种发光二极管的制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上外延生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层等外延层，在外延层上制作金属反射层，将金属反射层粘合到基板上，依次去除衬底、N型缓冲层和N型腐蚀停层，制作第一电极，去除位于第一电极在基板厚度方向上的投影之外的N型欧姆接触层，对第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层和N型电流扩展层进行粗化处理，最终形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，从而可以避免因粗化不均而引起发光二极管亮度不均匀的情况。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的制备方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

为了提高发光二极管的出光率，在制作发光二极管的过程中，通常会对位于出光侧的电流扩展层进行粗化处理，即通过化学腐蚀的方式使电流扩展层表面形成微观的粗糙结构。电流扩展层在进行粗化处理后表面会呈颗粒状，粗糙度增加，可以减少光在电流扩展层中的全反射，从而提高出光率，提高发光二极管的亮度。

电流扩展层中的Al组分的含量会影响到颗粒的大小，较高的Al组分含量可以使得粗化后形成的颗粒小，高度低，但是Al组分含量高会导致芯片漏电，为了避免出现芯片漏电，现有的电流扩展层中Al组分的含量都比较低，这就使得在现有的粗化过程中，常常会出现粗化后形成的颗粒过大、粗化不均匀等问题，从而导致发光二极管亮度不均匀。

发明内容

为了解决电流扩展层粗化后出现发光二极管亮度不均匀的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，在该外延层基础上再制作金属反射层；其中，所述第一N型粗化引导层为(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P层，所述第二N型粗化引导层为(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P层，且x＞y；

提供一基板；

将所述金属反射层粘合到所述基板上；

依次去除所述衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；

在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；

去除位于所述第一电极在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型欧姆接触层，以露出所述第一N型粗化引导层；

从所述第一N型粗化引导层远离所述基板的一侧面向靠近所述基板的方向进行粗化处理，且所述粗化处理的粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度；

在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极。

优选地，从所述第一N型粗化引导层远离所述基板的一侧面向靠近所述基板的方向进行粗化处理，包括：

进行多次粗化，以使所述粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度，且在所述多次粗化中，第一次粗化的时间最长。

进一步地，所述第一次粗化的时间为1～3min。