[发明专利]晶体管装置

权利要求书

1.一种晶体管装置，其特征在于，包括：

半导体材料层，一体的包括第一导电部、第二导电部、通道部以及第一凸出部，所述通道部位于所述第一导电部与所述第二导电部之间，其中所述通道部具有第一边界、第二边界、第三边界与第四边界，所述第一边界与所述第一导电部邻接，所述第二边界与所述第二导电部邻接，而所述第三边界与所述第四边界连接所述第一边界与所述第二边界的端点，所述第一凸出部从所述通道部的所述第三边界向外凸出；

栅极层，横越并重叠所述通道部，所述栅极层的第一栅极边界与第二栅极边界重叠于所述通道部的所述第一边界与所述第二边界；以及

绝缘层，设置于所述栅极层与所述半导体材料层之间，

其中所述第一导电部包括第一颈缩区以及第一连接区，所述第一连接区位于所述第一颈缩区与所述通道部之间，所述第一连接区与所述第一颈缩区的交界在所述第一栅极边界的投影线为所述通道部的所述第一边界，而所述第一凸出部包括彼此连接的第一内凸出区与第一外凸出区，所述第一内凸出区从所述通道部的所述第三边界向外凸出，且所述第一外凸出区从所述第一导电部的所述第一连接区向外凸出。

2.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一导电部与所述第二导电部的导电性优于所述通道部与所述第一凸出部。

3.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一凸出部连接所述第三边界的连接长度不大于所述第三边界的长度。

4.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述栅极层包括栅极线与栅极，所述栅极是从所述栅极线凸起后伸出的分支，且所述栅极横越并重叠所述通道部。

5.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述栅极层与所述第一凸出部至少部分重叠。

6.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述栅极层的第三栅极边界重叠于所述第一凸出部的边界。

7.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一凸出部的边界即为所述半导体材料层的边界的一部分 。

8.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述半导体材料层还包括第二凸出部，所述通道部位于所述第一凸出部与所述第二凸出部之间。

9.如权利要求8所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一凸出部从所述第三边界向外凸出第一凸出宽度，且所述第二凸出部从所述第四边界向外凸出第二凸出宽度。

10.如权利要求9所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一凸出宽度与所述第二凸出宽度不同。

11.如权利要求9所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一凸出宽度与所述第二凸出宽度至少其中之一为非均一宽度。

12.如权利要求9所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一凸出宽度与所述第二凸出宽度至少其中之一从所述第一边界朝向所述第二边界的变化包括先增加再减少。

13.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一导电部与所述第二导电部各自的掺杂浓度大于所述通道部与所述第一凸出部各自的掺杂浓度。

14.如权利要求1所述的晶体管装置，其特征在于，所述半导体材料层还包括位于所述第一导电部周边的第一低导电部与位于所述第二导电部周边的第二低导电部，所述第一低导电部与所述第二低导电部都未重叠于所述栅极层，所述第一低导电部与所述第二低导电部的边界构成所述半导体材料层的边界的一部分 。

15.如权利要求14所述的晶体管装置，其特征在于，所述第一导电部与所述第二导电部各自的掺杂浓度大于所述第一低导电部、所述第二低导电部、所述通道部与所述第一凸出部各自的掺杂浓度。