[发明专利]包含产生衬底的讯号失真的集成电路效能模型化有效

专利信息
申请号: 201710073295.9 申请日: 2017-02-10
公开(公告)号: CN107291971B 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: F·G·安德森;M·L·高奇;J-M·佩蒂亚;P·拉莫;R·L·沃尔夫;徐建生 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳<国际申请>=<国际公布>=
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要:
搜索关键词: 包含 产生 衬底 讯号 失真 集成电路 效能 模型
【说明书】:

发明涉及包含产生衬底的讯号失真的集成电路效能模型化。所揭示为用于模型化集成电路(IC)效能的具体实施例。在这些具体实施例中,进行寄生提取程序以产生网表,其不仅决定IC里的各种寄生现象,还决定IC里出现的衬底产生的讯号失真(例如:衬底产生的谐波讯号失真)。在此网表提取程序期间,分析IC的设计布局以识别将于网表中表示的寄生现象,并且亦识别所具输出讯号经受衬底产生讯号失真的任何电路元件。识别此类电路元件时,自模型库选择并于网表内并入讯号失真模型,其预先依经验判定并储存于模型库中、对应于所识别的电路元件、以及决定讯号失真。随后使用网表进行仿真以产生IC的效能模型。

技术领域

本发明关于模型化集成电路(IC)的效能,且尤关于用于模型化集成电路(IC)效能的系统、方法及计算机程序产品,包括衬底产生的讯号失真,例如:衬底产生的谐波讯号失真。

背景技术

讯号失真会引起量值与相位误差,并从而会负面影响集成电路效能。举例而言,当电路元件输入处的负载呈非线性时,此电路元件输出处(例如,金属或多晶硅讯号导线或装置的输出处)的讯号会产生谐波讯号失真。此失真的量值将会取决于非线性负载的相对大小、所论电路元件的特性、以及源极阻抗。谐波失真会使讯号输出波形的形状从基本波形变为更复杂形状,并从而影响讯号完整性,使得接收器误读讯号。另外,美国联邦通信委员会(FCC)已对无线电(RF)应用中的谐波产生设定限制(即规格)以降低讯号彼此间的干扰。不幸的是,目前的集成电路效能模型化技术并未适当地模型化衬底产生的讯号失真,尤其是衬底产生的谐波讯号失真。因此,所属技术领域需要一种改良型集成电路效能模型化技术,其包括衬底产生的讯号失真,尤其是衬底产生的谐波讯号失真。

发明内容

鉴于前述,本文中所揭示的是用于集成电路(IC)效能模型化的方法、系统及计算机程序产品的具体实施例。在这些具体实施例中,可进行寄生提取程序以产生布局提取网表,其不仅决定IC里的各种寄生现象(例如:各种寄生电容与电阻),还决定IC里出现的衬底产生讯号失真(例如:衬底产生谐波讯号失真)。具体而言,在此网表提取程序期间,可分析IC的设计布局以识别将于布局提取网表中表示的寄生现象,并且亦识别所具输出讯号经受衬底产生讯号失真的任何电路元件。识别此类电路元件时,可自模型库选择并于布局提取网表内并入讯号失真模型,其预先依经验判定并储存于模型库中、对应于所识别的电路元件、以及决定讯号失真。随后可使用此布局提取网表进行仿真以产生IC的效能模型。

更具体地说,本文中所揭示的是用于集成电路(IC)效能模型化的相关方法。

在本方法中,可在存储器中储存特定技术节点中集成电路(IC)的设计布局。在此IC中,会在半导体衬底(例如:绝缘体上覆半导体(SOI)衬底)上面布设各种电路元件,使得衬底产生的讯号失真可能出现。此类衬底产生的讯号失真举例而言,可以是IC的金属阶或多晶硅(PC)阶里讯号导线输出处因与半导体衬底的非线性电容性耦合(亦即,因非线性讯号导线至衬底电容性耦合)而出现的谐波讯号失真、半导体装置输出处因装置间耦合而出现的谐波讯号失真,此耦合通过半导体装置至半导体衬底的非线性电容性耦合、及穿过半导体装置彼此间的部分半导体衬底的非线性电阻两者来进行特性分析,还可以是任何其它衬底产生讯号失真。

在本方法中,亦可在存储器中储存模型库。模型库可包括多个特定阶讯号失真模型,其预先依经验判定。这些特定阶讯号失真模型各可专属于半导体衬底上面IC多个不同层级(例如:在半导体层阶中,本文亦称为装置阶、PC阶、及/或半导体层上面自第一金属阶至最后金属阶的不同金属阶)其中一特定者中的电路元件。亦即,各特定阶讯号失真模型可与半导体衬底上面IC的特定层级相关联。另外,各特定阶讯号失真模型可包括决定将会在IC特定层级里电路元件输出处讯号上出现的衬底产生的讯号失真(例如:衬底产生的谐波讯号失真)的示意表征。

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