[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具备：

第1导电型的第1半导体区域；

积层体，设置在所述第1半导体区域上，且所述积层体包含交替地积层的多个绝缘体与多个电极层；

多个柱状部，设置在所述积层体内，所述柱状部沿所述积层体的积层方向延伸，所述柱状部包含半导体主体与电荷蓄积膜，所述半导体主体与所述第1半导体区域相接，且电荷蓄积膜包含电荷蓄积部；

壁状的多个第1绝缘部，设置在所述积层体内，所述第1绝缘部沿所述积层方向及与所述积层方向垂直的第1方向延伸，且所述第1绝缘部与所述第1半导体区域相接；以及

柱状的多个第2绝缘部，设置在所述积层体内，所述第2绝缘部沿所述积层方向延伸，所述第2绝缘部与所述第1半导体区域相接，所述第2绝缘部的沿着与所述第1方向在平面内垂直的第2方向的宽度比所述第1绝缘部的沿着所述第2方向的宽度宽，且所述第2绝缘部俯视观察时配置成错位格子状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：还具备设置在所述第2绝缘部内的第1导电体。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1导电体与所述第1半导体区域相接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：还具备设置在所述第1半导体区域内的第2导电型的第2半导体区域，且

所述第1导电体与所述第2半导体区域相接。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：还具备周边电路，该周边电路将所述第1半导体区域夹在中间而设置在所述积层体的下方，且所述周边电路包含晶体管，且

所述第1导电体与所述晶体管电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第2绝缘部与所述第1绝缘部的1个重叠。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第2绝缘部不与所述第1绝缘部重叠。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第2绝缘部的至少1个与所述第1绝缘部的1个重叠，且所述第2绝缘部的其余部分不与所述第1绝缘部重叠。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于还具备：

第2导电体，设置在所述第2绝缘部内；

第2导电型的第3半导体区域，设置在所述第1半导体区域内；以及

第1导电型的第4半导体区域，设置在所述第1半导体区域内；

设置在所述第2绝缘部的至少1个的所述第2导电体与所述第3半导体区域相接，且

设置在所述第2绝缘部的其余部分的所述第2导电体与所述第4半导体区域相接。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第2绝缘部的平面形状为圆形、圆角长方形及椭圆形的任一个。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第2绝缘部代替所述柱状部设置在供设置所述柱状部的区域。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：所述柱状部从所述第2绝缘部的周围被省略。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第2绝缘部覆盖设置在所述第1绝缘部，且

所述柱状部从所述第2绝缘部的周围被省略。

14.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：在所述积层体的上方还具备将所述第1导电体彼此连接的电气配线。