[发明专利]曝光目标图形的修正方法

权利要求书

1.一种曝光目标图形的修正方法，其特征在于，包括：

提供下层曝光目标图形和待修正图形，所述下层曝光目标图形包括若干长条状的第一下层子图形，所述待修正图形中包括若干第一待修正子图形；

将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形，所述待修正图形位于下层曝光目标图形上方，部分第一待修正子图形与部分第一下层子图形之间具有重叠部分；

提供掩膜图形，所述掩膜图形上具有若干不同宽度和间距的子图形，所述子图形为掩膜图形的遮光区域；对所述掩膜图形进行曝光，得到曝光图形，所述曝光图形包括若干曝光子图形；以所述曝光子图形的宽度和相邻曝光子图形之间的间距分别作为横坐标和纵坐标，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域；

根据所述光刻分辨率限制表，保持所述第一待修正子图形的中心位置不变，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形，使所述第一修正子图形进入可曝光区域，并且位于所述可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置。

2.根据权利要求1所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述下层曝光目标图形中还包括第一散射子图形，对应的，所述待修正图形中还包括第二散射子图形；在所述重叠图形中，第二散射子图形与第一散射子图形完全重叠。

3.根据权利要求2所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，还包括：保持所述第二散射子图形的中心位置不变，将所述第二散射子图形的长度和宽度增大第四预设值，使增大后的第二散射子图形完全覆盖第一散射子图形。

4.根据权利要求3所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述第四预设值的范围为20nm～140nm。

5.根据权利要求1所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述曝光子图形的宽度、所述曝光子图形与相邻的子图形之间的间距位于所述光刻分辨率限制表中的可曝光区域，而其余未形成的曝光图形的尺寸区域为光刻分辨率限制表中的不可曝光区域。

6.根据权利要求5所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表采用的曝光子图形的宽度范围为60nm～6000nm，相邻曝光子图形之间的间距为60nm～300nm。

7.根据权利要求1所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述下层曝光目标图形中还包括若干第二下层子图形，所述第二下层子图形中包括两个以上的不在同一直线上的长条状部分，以及连接所述长条状部分的连接部分；对应的，所述待修正图形中包括第二待修正子图形，在重叠图形中，所述第二待修正子图形覆盖所述第二下层子图形的连接部分，以及位于所述连接部分两侧的部分长条状部分；根据所述光刻分辨率限制表，对第二待修正子图形进行修正后获得第二修正子图形，所述第二修正子图形位于可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置；确定所述第二修正图形和长条状部分相交的边长，与连接部分之间的垂直距离为第一尺寸；确定第二待修正子图形和长条状部分相交的边长与连接部分的之间的最小垂直距离为第二尺寸；若第一尺寸大于第二尺寸，则对所述第二待修正子图形进行修正，若所述第一尺寸小于或等于第二尺寸，则保持所述第二待修正子图形不变。

8.根据权利要求7所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述第二尺寸的范围为10nm～60nm。