[发明专利]曝光目标图形的修正方法

说明书

一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法，所述辅助图形的形成方法包括：将所述下层图形和当前层图形重叠，形成第二图形；将所述第二图形取反，获得第三图形；将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值，形成第四图形；去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形，形成第五图形，所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。所述曝光目标图形的形成方法包括：将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形；建立光刻分辨率限制表；根据所述光刻分辨率限制表，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形。可以提高掩膜版的透光率、提高对曝光目标图形进行修正的准确性。

本申请是2013年12月30日提交中国专利局、申请号为201310745670.1、发明名称为“辅助图形的形成方法和曝光目标图形的修正方法”的中国专利申请的分案。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法。

背景技术

随着半导体工艺节点的不断下降，传统光刻工艺条件下利用一个掩膜版作为掩膜形成图形化工艺遇到了限制，相邻的图形节距过小，由于光学邻近效应，会出现相邻图形粘连的现象。

基于半导体器件关键尺寸越来越小，利用双重图形化(Double patterning)方法解决以上所述的问题。

双重图形化方法将需要形成的图形分割成两种图形，分别为第一掩膜图形和第二掩膜图形，然后分别进行第一次图形化形成第一图形，进行第二次图形化形成第二图形，通过这样双重图形化的方法可以避免出现相邻图形孔距过小而导致的光学邻近效应。

现有技术中通过双重图形化工艺刻蚀多晶硅层，形成多晶硅栅极，以提高多晶硅栅极的尺寸的准确性和均匀性。通过第一掩膜图形对多晶硅层进行第一图形化，形成长条状的栅极图形，然后通过第二掩膜图形对多晶硅层进行第二图形化，将长条状的栅极图形切开以形成多晶硅栅极。

第二掩膜图形由第一掩膜图形决定，现有的第二掩膜图形中的子图形数量较少，导致掩膜版的透光率较差，从而导致第二图形化中的光刻过程在光刻胶上形成的曝光图形的尺寸不均匀，影响后续形成刻蚀图形的准确性。

另一方面，在形成第二图形化过程中的掩膜版图形的过程中，一般是根据最终形成的刻蚀图形，设计出光刻胶层上的曝光目标图形；然后再根据所述曝光目标图形，通过OPC模型计算得到最终需要在掩膜版上形成的图形。考虑到第二图形化过程中的刻蚀偏差问题，需要对曝光目标图形进行刻蚀偏差补偿，但是由于所述曝光目标图形的补偿效果受到下层的材料的刻蚀图形的影响，既与曝光目标图形中的子图形自身的尺寸及间距相关，还与下层的材料的刻蚀图形中的图形材料以及尺寸相关，所以很难对曝光目标图形进行准确的刻蚀偏差补偿。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种辅助图形的形成方法，提高曝光图形的准确性；还提供一种曝光目标图形的修正方法，提高对所述曝光目标图形进行刻蚀偏差补偿的准确性。

为解决上述问题，本发明提供一种辅助图形的形成方法，包括：提供下层图形和当前层图形，所述下层图形为第一图形，所述当前层图形中包括若干当前层子图形；将所述下层图形和当前层图形重叠，形成第二图形；将所述第二图形取反，获得第三图形，所述第三图形与第二图形为互补图形，所述第三图形中包括若干第三子图形；保持所述第三子图形的中心位置不变，将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值，形成第四图形，所述第四图形中包括若干第四子图形；去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形，形成第五图形，所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。

可选的，所述第一预设值的范围为0nm～100nm。

可选的，去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形的方法包括：去除所述第四图形中长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形。