[发明专利]光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光掩模，包括：

中间掩模衬底；

在所述中间掩模衬底上的主图案，所述主图案限定将要在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案；和

与所述主图案相邻的抗反射图案，其中，

彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，

所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度，

所述第一长度和所述第二长度之和等于或小于曝光工艺的分辨率，以及

所述主图案与最靠近所述主图案的所述抗反射图案之间的距离等于或小于所述第一长度。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述第二长度与所述第一长度的比率在从2:8至8:2的范围内。

3.根据权利要求1所述的光掩模，其中在所述曝光工艺中，所述抗反射图案没有被投影到所述半导体衬底上。

4.根据权利要求3所述的光掩模，其中所述第一长度和所述第二长度之和小于所述分辨率。

5.根据权利要求1所述的光掩模，其中

所述主图案包括在第一方向上延伸的第一部分，

所述第一部分具有平行于所述第一方向的第一侧，

所述抗反射图案中的至少一个在与所述第一方向相交的第二方向上邻近所述第一侧并且与所述第一侧间隔开。

6.根据权利要求5所述的光掩模，其中所述主图案还包括在所述第二方向上延伸的第二部分，

其中所述第二部分具有平行于所述第二方向的第二侧，以及

其中所述抗反射图案中的至少另一个在所述第一方向上与所述第二侧相邻并且与所述第二侧间隔开。

7.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述主图案的宽度大于所述第二长度。

8.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述主图案在平行于所述中间掩模衬底的顶表面的第一方向上延伸，以及

其中所述抗反射图案具有在所述第一方向上彼此平行地延伸的线形状。

9.根据权利要求1所述的光掩模，其中：

所述主图案在平行于所述中间掩模衬底的顶表面的第一方向上延伸，以及

所述抗反射图案具有点形状并且在所述第一方向上布置。

10.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述主图案在平行于所述中间掩模衬底的顶表面的第一方向上延伸，以及

其中所述抗反射图案具有在与所述第一方向相交的第二方向上平行地延伸的线形状。

11.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成光致抗蚀剂层；以及

使用包括主图案和与所述主图案相邻的抗反射图案的光掩模曝光光致抗蚀剂层，其中

彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离为第一长度，

所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度为第二长度，

所述第一长度和所述第二长度之和等于或小于所述曝光的分辨率，以及

所述主图案与最靠近所述主图案的所述抗反射图案之间的距离等于或小于所述第一长度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述主图案阻挡光被投射到所述半导体衬底上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述和小于所述分辨率。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述主图案本身将被转印到所述光致抗蚀剂图案。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述抗反射图案在所述主图案与所述光掩模的开口区域之间。