[发明专利]一种利用稀土尾砂制备超平抛釉陶瓷砖的方法有效

专利信息
申请号: 201710075825.3 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN106747296B 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 余峰;陈婧;谭丽;万萍;程磊 申请(专利权)人: 景德镇陶瓷大学
主分类号: C04B33/13 分类号: C04B33/13;C04B33/132;C04B33/34;C03C8/00;C03C8/02;C03C8/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 333000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 稀土 制备 超平抛 釉陶 瓷砖 方法
【权利要求书】:

1.一种利用稀土尾砂制备超平抛釉陶瓷砖的方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)坯体底层粉料的制备:

所述坯体底层粉料组成的质量百分比为:稀土尾砂50~55%、高岭土10~20%、钠长石10~15%、方解石10~15%、硅灰石10~15%;

所述坯体底层粉料的制备工序为:先将稀土尾砂经过破碎、磨碎、酸洗后过120目筛,筛余为0.3%,然后再按坯体底层粉料配方称量原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨,出磨浆料导入干燥塔进行干燥,制成坯体底层粉料备用;

(2)坯体面层粉料的制备:

所述坯体面层粉料组成的质量百分比为:稀土尾砂15~25%、高岭土30~40%、钾长石15~20%、方解石10~15%、硅灰石20~30%;

所述坯体面层粉料的制备工序为:先将稀土尾砂经过破碎、磨碎、酸洗后过200目筛,筛余为0.2%,然后再按坯体面层粉料配方称量原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨,出磨浆料导入干燥塔进行干燥,制成坯体面层粉料备用;

(3)底釉层原料的制备:

所述底釉层原料组成的质量百分比为:石英30~40%、石灰石15~20%、烧滑石15~20%、氧化铝15~20%、钠长石15~25%;

所述底釉层原料的制备工序为:按底釉层配方称量原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨,出磨浆料过250目筛后搅拌均匀,制成底釉层原料备用;

(4)面釉层原料的制备:

所述面釉层原料组成的质量百分比为:石英10~15%、煅烧高岭土15~25%、烧滑石15~20%、氧化铝15~20%、钾长石15~25%、熔块10~15%;

熔块的化学重量百分组成为:Na2O 10%、CaO 20%、ZrSiO4 25%、Al2O315%、SiO210%、B2O3 20%;

所述面釉层原料制备工序为:按面釉层配方称量原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨,出磨浆料过250目筛后搅拌均匀,制成面釉层原料备用;

(5)坯体制备:先后将坯体底层粉料和坯体面层粉料送入至压坯机内成型为瓷砖坯;

(6)施底釉:在干燥后的瓷砖坯表面喷淋厚度为0.4mm的底釉层原料;

(7)施面釉:在喷墨、印花后的瓷砖坯表面喷淋厚度为0.6mm的面釉层原料;

(8)抛釉;

(9)烧成:先在450℃温度烧制8min ,再在950℃温度烧制10min,再在1160℃温度烧制40min,最后降温并在1000℃温度烧制10 min;

(10)抛光。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(5)中坯体底层粉料与坯体面层粉料厚度的比例为3:1。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(6)中干燥的温度为150℃,时间为1小时,瓷砖坯体含水率达到0.5%以下。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(6)中底釉层原料的比重为1.61g/ml,所述步骤(7)中面釉层原料的比重为1.91 g/ml。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(1)中坯体底层粉料的颗粒粒径为30~90目,其中30~50目的占60wt%,50~70目的占25wt%,80~90目的占15wt%。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(2)中坯体面层粉料的颗粒粒径为60~120目,其中60~80目的占30wt%,80~100目的占25wt%,100~120目的占45wt%。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(8)的抛釉和(10)的抛光采用全抛釉工艺。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(1)和(2)中稀土尾砂酸洗所用酸液为pH值为5的盐酸溶液。

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