[发明专利]用以在FDSOI中实施后偏置的布局及布线方法

权利要求书

1.一种用以在完全耗尽绝缘体上硅FDSOI中实施后偏置的布局及布线方法，包括：

沿第一方向布局第一多个标准连接阱单元，各该标准连接阱单元通过以下方式形成：

在第一金属化层中布线p-BIAS线VPW及n-BIAS线VNW，以及

布线功率VDD轨线及接地VSS轨线，该p-BIAS线VPW及该n-BIAS线VNW延伸跨越第二金属化层中的该功率VDD轨线及该接地VSS轨线，

其中，该第一多个标准连接阱单元的该p-BIAS线VPW连续连接，以及其中，该第一多个标准连接阱单元的该n-BIAS线VNW连续连接，且，

其中，该第一金属化层低于该第二金属化层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该p-BIAS线VPW及该n-BIAS线VNW垂直于该接地VSS及功率VDD轨线延伸。

3.如权利要求1所述的方法，还包括在该第一多个标准连接阱单元之间沿该第一方向布局标准晶体管单元，其中，至少一个标准晶体管单元位于该第一多个标准连接阱单元的任意两个之间。

4.如权利要求1所述的方法，还包括布局标准晶体管单元，其中，该第一多个标准连接阱单元直接沿该第一方向彼此邻接布局，相邻标准连接阱单元的该p-BIAS线VPW及该n-BIAS线VNW分别直接接触。

5.如权利要求1所述的方法，其中，按照预定义设计规则与该n-BIAS线VNW、该p-BIAS线VPW及该标准连接阱单元的至少其中一个的几何尺寸的至少其中之一在该标准连接阱单元内布线该p-BIAS线VPW及该n-BIAS线VNW。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一金属化层是最低金属化层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该标准连接阱单元还包括VPW过孔接触以及VNW过孔接触，两者都垂直于该第一金属化层，该VPW过孔接触及该VNW过孔接触依赖该n-BIAS线VNW及p-BIAS线VPW并按照预定义设计规则与该n-BIAS线VNW、该p-BIAS线VPW及该标准连接阱单元的至少其中一个的几何尺寸的至少其中之一布局。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该p-BIAS线VPW及该n-BIAS线VNW设于最低金属化层中，且该VPW过孔及该VNW过孔分别接触在完全耗尽绝缘体上硅衬底中所形成的p型接地平面及n型接地平面的其中相应一个。

9.如权利要求1所述的方法，还包括沿该第一方向布局第二多个标准连接阱单元，该第二多个标准连接阱单元在该第一金属化层内沿垂直于该第一方向的第二方向相对该第一多个标准连接阱单元位移，其中，该第二多个标准连接阱单元的该p-BIAS线VPW连续连接，以及其中，该第二多个标准连接阱单元的该n-BIAS线VNW连续连接。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该第二多个标准连接阱单元的该连续连接的p-BIAS线VPW及n-BIAS线VNW基本平行于该第一多个标准连接阱单元的该连续连接的p-BIAS线VPW及n-BIAS线VNW。

11.如权利要求9所述的方法，还包括在该第二多个标准连接阱单元之间沿该第一方向布局标准晶体管单元，其中，至少一个标准晶体管单元位于该第二多个标准连接阱单元的任意两个之间。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该第一多个标准连接阱单元与该第二多个标准连接阱单元相对彼此交错布置。

13.如权利要求1所述的方法，将该n-BIAS线VNW及p-BIAS线VPW连接至功率供应，该功率供应依据低功率待机模式、正常模式以及高操作速度模式向该n-BIAS线VNW及p-BIAS线VPW提供电压，并向该接地VSS轨线供应VSS电压以及向该功率VDD轨线供应VDD电压。