[发明专利]似然值指派针对每一读取重试在不同读取电压处改变正负号的读取重试操作在审
申请号: | 201710076991.5 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN107068187A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 阿卜杜勒哈基姆·S·埃侯赛因;桑达尔杰·桑卡兰阿拉亚南;瑞万·阮;卢多维克·当让;埃里希·F·哈拉特施 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/16 | 分类号: | G11C16/16;G11C16/26;G11C16/34;G11C29/42;G11C29/52;H03M13/11 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 似然值 指派 针对 每一 读取 重试 不同 电压 改变 负号 操作 | ||
1.一种用于存储器的多次读取重试的方法,其包括:
使用第一读取电压从所述存储器读取码字以获得第一读取值;
基于第一似然值指派将所述第一读取值映射到一或多个第一似然值,其中所述第一似然值指派大体上在所述第一读取电压处改变正负号;
使用第二读取电压读取所述存储器的所述码字以获得第二读取值,其中所述第二读取电压从所述第一读取电压移位以补偿所述存储器的一或多个存储器单元的一或多个模拟电压的预期改变;以及
基于第二似然值指派将所述第二读取值映射到一或多个第二似然值,其中所述第二似然值指派大体上在所述第二读取电压处改变正负号。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括基于所述第一似然值和所述第二似然值中的一或多者使用所述码字的迭代解码产生读取数据的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括存储提供成功解码的给定读取电压的步骤,其中所述给定读取电压用作所述第一读取电压和较高优先级重试读取电压中的一或多者,所述较高优先级重试读取电压用于所述码字的页类型的页的未来读取操作。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述页类型包括在大体上相似时间写入的页、在存储器块中具有大体上相似页位置的页以及在大体上相似时间具有突发错误的页中的一或多者。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二读取电压在补偿由于电荷泄漏、编程/擦除循环、读取干扰、擦除干扰中的一或多者所致的所述存储器单元的所述模拟电压的所述预期改变的方向上从所述第一读取电压移位。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器包括非易失性存储器。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括记录成功读取电压的历史且使用所述成功读取电压用于与成功恢复的页具有相似通道条件和相似位置中的一或多者的其它页的读取重试的步骤,其中所述相似通道条件和所述相似位置中的所述一或多者是基于一或多个预定义相似性条件。
8.一种有形机器可读可记录存储媒体,其中一或多个软件程序当由一或多个处理装置执行时实施根据权利要求1所述的方法的步骤。
9.一种装置,其包括:
控制器,其经配置以通过实施以下步骤而执行存储器的多次读取重试:
使用第一读取电压从所述存储器读取码字以获得第一读取值;
基于第一似然值指派将所述第一读取值映射到一或多个第一似然值,其中所述第一似然值指派大体上在所述第一读取电压处改变正负号;
使用第二读取电压读取所述存储器的所述码字以获得第二读取值,其中所述第二读取电压从所述第一读取电压移位以补偿所述存储器的一或多个存储器单元的一或多个模拟电压的预期改变;以及
基于第二似然值指派将所述第二读取值映射到一或多个第二似然值,其中所述第二似然值指派大体上在所述第二读取电压处改变正负号。
10.根据权利要求9所述的装置,其进一步包括基于所述第一似然值和所述第二似然值中的一或多者使用所述码字的迭代解码产生读取数据的步骤。
11.根据权利要求10所述的装置,其进一步包括存储提供成功解码的给定读取电压的步骤,其中所述给定读取电压用作所述第一读取电压和较高优先级重试读取电压中的一或多者,所述较高优先级重试读取电压用于所述码字的页类型的页的未来读取操作。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述页类型包括在大体上相似时间写入的页、在存储器块中具有大体上相似页位置的页以及在大体上相似时间具有突发错误的页中的一或多者。
13.根据权利要求9所述的装置,其中所述第二读取电压在补偿由于电荷泄漏、编程/擦除循环、读取干扰、擦除干扰中的一或多者所致的所述存储器单元的所述模拟电压的所述预期改变的方向上从所述第一读取电压移位。
14.根据权利要求9所述的装置,其中所述存储器包括非易失性存储器。
15.根据权利要求9所述的装置,其进一步包括记录成功读取电压的历史且使用所述成功读取电压用于与成功恢复的页具有相似通道条件和相似位置中的一或多者的其它页的读取重试的步骤,其中所述相似通道条件和所述相似位置中的所述一或多者是基于一或多个预定义相似性条件。
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