[发明专利]似然值指派针对每一读取重试在不同读取电压处改变正负号的读取重试操作

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案涉及2013年12月20日申请的标题为“用于非易失性存储器的读取重试(Read Retry For Non-Volatile Memories)”的第2015/0149840号美国公开专利申请案以及2013年12月20日申请的标题为“存储器的读取通道中的多次读取重试(Multiple Read retries in a Read Channel of a Memory)”的第2015/0162057号美国公开专利申请案，以上每一申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域大体上涉及固态存储媒体，且更具体地说涉及用于这些固态存储媒体的读取阈值电压的调整。

背景技术

固态存储装置使用模拟存储器单元来存储数据。每个存储器单元存储存储值，例如电气电压。存储值表示存储器单元中存储的信息。许多固态存储装置基于存储器单元的读取电压电平区分开存储器单元可存储的不同二进制值。每一存储器单元的可能存储值的范围通常被分成阈值区，其中每一区通过读取阈值电压分隔开且对应于一或多个数据位值。理想地，给定固态存储装置中的所有存储器单元对于所存储的逻辑位值具有相同的读取阈值电压。然而，在实践中，在相似于高斯分布的沿读取阈值电压轴的概率分布(例如，“读取阈值电压分布”)中，读取阈值电压跨单元而不同。

另外，固态存储装置可随时间推移而移位。举例来说，存储器单元泄漏、存储器单元损坏和对存储器单元的其它干扰可改变存储器单元的读取电压电平。因此，读取阈值电压可随时间推移而移位。泄漏和其它干扰的比率还可在存储器单元随时间推移经使用时随着老化而增加。如果存储器单元的读取电压电平移位超过读取阈值电压，则发生数据误差，因为从存储器单元读取的数据的值不同于写入到存储器单元的数据的值。

数据是成块地从非易失性存储器读取，所述块在本文中被称作“读取单元”或“码字”，其通常通过包含错误校正而受保护以防止错误，例如包含使用错误校正算法产生的奇偶校验位，例如低密度奇偶校验(LDPC)编码。在固态磁盘控制器的控制下，从非易失性存储器单元读取位。例如在LDPC解码器中解码所得数据以应用错误校正算法。如果数据未能在LDPC解码器中收敛，那么可使用读取重试操作来重新读取数据且再次应用错误校正算法。虽然单元电压是连续的，但非易失性存储器单元一般在读取操作之后仅提供二进制硬决策。当例如LDPC解码算法等软迭代解码算法用于错误校正时，期望将由非易失性存储器产生的硬决策转换为对解码器给予更多信息以帮助校正错误的软决策。从单个读取转换的软决策可能不具有足够质量用于成功解码。在此情况下，可使用具有变化读取电压的多次读取来获得软决策的足够质量。因此，读取参考电压的位置和频率可直接影响软决策的质量且最终影响通道读取的理论信息内容。

仍需要用于执行读取重试操作的改进的技术。

发明内容

本发明的说明性实施例提供用于读取重试操作的方法和设备，其中似然值指派针对多次读取重试操作在不同读取电压处改变正负号。在一个实施例中，一种用于存储器的多次读取重试的方法包括：使用第一读取电压从所述存储器读取码字以获得第一读取值；基于第一似然值指派将所述第一读取值映射到一或多个第一似然值，其中所述第一似然值指派大体上在所述第一读取电压处改变正负号；使用第二读取电压读取所述存储器的所述码字以获得第二读取值，其中所述第二读取电压从所述第一读取电压移位以补偿所述存储器的一或多个存储器单元的一或多个模拟电压的预期改变；以及基于第二似然值指派将所述第二读取值映射到一或多个第二似然值，其中所述第二似然值指派大体上在所述第二读取电压处改变正负号。

在至少一个实施例中，基于所述第一似然值和所述第二似然值中的一或多者使用所述码字的迭代解码产生读取数据。任选地存储提供成功解码的给定读取电压，其中所述给定读取电压用作所述第一读取电压和较高优先级重试读取电压中的一或多者，所述较高优先级重试读取电压用于所述码字的页类型的页的未来读取操作。所述页类型包括例如在大体上相似时间写入的页、在存储器块中具有大体上相似页位置的页以及在大体上相似时间具有突发错误的页中的一或多者。

在一或多个实施例中，所述第二读取电压在补偿由于电荷泄漏、编程/擦除循环、读取干扰、擦除干扰中的一或多者所致的所述存储器单元的所述模拟电压的所述预期改变的方向上从所述第一读取电压移位。