[发明专利]晶圆局部处理方法

权利要求书

1.一种晶圆局部处理方法，其特征在于，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔；所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：

将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合，所述晶圆的表面与第一腔室的凹槽道的壁面形成允许气液流动的通道；

将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中,所述预设量的腐蚀液能够在所述凹槽道中形成一段长度的液体，所述液体的长度小于所述凹槽道的长度；

向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；

通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。

2.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述凹槽道的第一位置位于所述凹槽道的一端，所述凹槽道的第二位置位于所述凹槽道的另一端。

3.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，通入所述凹槽道中的所述腐蚀液能够与所述晶圆表面接触并进行腐蚀。

4.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：在所述通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道步骤之后，向所述凹槽道中通入提取液，再排出通入所述凹槽道中的所述提取液。

5.根据权利要求4所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：在步骤向所述凹槽道中通入提取液，再排出通入所述凹槽道中的所述提取液之前，重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，以使得所述腐蚀液腐蚀至所述晶圆表面预设深度。

6.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，以使得所述腐蚀液腐蚀至所述晶圆表面预设深度。

7.根据权利要求5或6所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，在重复步骤中通入所述第一通孔的预设量的腐蚀液为新的腐蚀液或上一次循环步骤中自所述凹槽道排出的所述腐蚀液。

8.根据权利要求4所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：

重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤向所述凹槽道中通入提取液，再排出所述凹槽道中的所述提取液，分别收集每次排出所述凹槽道的所述腐蚀液和所述提取液并对所述腐蚀液和所述提取液进行检测，以得到晶圆表面局部污染杂质的纵向分布情况。

9.根据权利要求6所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述晶圆局部处理方法还包括：多次重复所述重复步骤将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中至步骤通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道，分别收集多次重复下每次排出所述凹槽道的所述腐蚀液并对所述腐蚀液液进行检测，以得到晶圆表面局部污染杂质的纵向分布情况。

10.根据权利要求1所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，通入所述凹槽道中腐蚀液流动的预设速度和所述腐蚀液与所述晶圆表面反应的速率具有预设对应关系。

11.根据权利要求1或10所述的晶圆局部处理方法，其特征在于，所述预设速度呈下降趋势。