[发明专利]晶圆局部处理方法

说明书

本发明公开了一种晶圆局部处理方法，其涉及半导体技术领域，所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；将用于对晶圆表面进行处理的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。本发明中的晶圆局部处理方法能够有效控制腐蚀液的运动，进而控制晶圆表面局部的腐蚀深度，进而能够对晶圆材料内部给定的深度范围内的污染杂质进行提取与检测。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆局部处理方法。

背景技术

随着半导体尺寸的进一步减小，晶圆硅材料本身所含有的杂质成为质量控制中需要检测监控的要求，然而目前的晶圆污染检测技术仅限于对晶圆表面杂质污染的提取检测或者对整个晶圆材料进行破坏性检测。

中国专利申请号201210171681.9和201210088237.0公开了一种用于晶圆处理的微腔室处理装置，该微腔室处理装置均包括上腔室部和下腔室部，上腔室部和下腔室部可在一驱动装置的驱动下装载和/或移除该晶圆的打开位置和一用于容纳并处理该晶圆的关闭位置之间相对移动。上腔室部与下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，晶圆放置于微腔室内，上腔室部和/或下腔室部中包括一个或多个供处理流体进入的微腔室的入口和一个或多个供处理流体排出微腔室的出口。

当处理流体通过微腔室的入口进入微腔室对晶圆进行处理时，处理流体流动的方向大体是按照固定方向的，但是缺乏相应的控制机制保证处理流体与晶圆的反应程度。现有的技术虽然在进行晶圆表面污染的提取与检测时，只要给定足量的反应时间，就能保证表面污染物的提取效率，但是在进行对晶圆材料内部的杂质的提取与检测时，由于需要液体对晶圆材料进行腐蚀，不同的反应程度会导致处理流体对晶圆表面的腐蚀深度误差较大且难以控制。如此，当对晶圆材料内部杂质进行污染检测时，对反应后收集的处理流体进行检测只能得到晶圆材料内部整体大致的杂质污染的定性情况，无法准确得到晶圆材料内部的给定深度范围内杂质污染的定量情况，进一步的更加无法得到晶圆内不同深度处杂质污染的分布情况。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明实施例所要解决的技术问题是提供了一种晶圆局部处理方法，其能够有效控制腐蚀液对晶圆表面局部的腐蚀深度，进而能够对晶圆材料内部给定的深度范围内的杂质污染进行提取与检测，实现定性定量分析。

本发明实施例的具体技术方案是：

一种晶圆局部处理方法，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔；所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：

将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合，所述晶圆的表面与第一腔室的凹槽道的壁面形成允许气液流动的通道；

将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；

向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；

通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。

在一种优选的实施方式中，所述凹槽道的第一位置位于所述凹槽道的一端，所述凹槽道的第二位置位于所述凹槽道的另一端。