[发明专利]一种避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法

权利要求书

1.一种避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于包括：

第一步骤：在多晶硅层上形成第一硬掩膜组分层，其中第一硬掩膜组分层是用于刻蚀多晶硅层的硬掩膜的一个组成部分，而且第一硬掩膜组分层具有第一厚度；

第二步骤：在所述第一硬掩膜组分层上形成第二硬掩膜组分层，其中第二硬掩膜组分层是用于刻蚀多晶硅层的硬掩膜的另一个组成部分，而且第二硬掩膜组分层具有第二厚度，其中根据第一厚度来设置第二厚度，使得第一厚度和第二厚度的厚度之和等于预定数值。

2.根据权利要求1所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，第一硬掩膜组分层是氧化硅层，第二硬掩膜组分层是SION层。

3.根据权利要求1或2所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一硬掩膜组分层的第一厚度小于20埃的情况下，将第二硬掩膜组分层的第二厚度设置为350埃。

4.根据权利要求1或2所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一硬掩膜组分层的第一厚度大于20埃且小于30埃的情况下，将第二硬掩膜组分层的第二厚度设置为340埃。

5.根据权利要求1或2所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一硬掩膜组分层的第一厚度大于30埃且小于40埃的情况下，将第二硬掩膜组分层的第二厚度设置为330埃。

6.根据权利要求1或2所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一硬掩膜组分层的第一厚度大于40埃且小于50埃的情况下，将第二硬掩膜组分层的第二厚度设置为320埃。

7.根据权利要求1或2所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一硬掩膜组分层的第一厚度大于50埃且小于60埃的情况下，将第二硬掩膜组分层的第二厚度设置为310埃。

8.根据权利要求1或2所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一硬掩膜组分层的第一厚度大于60埃且小于70埃的情况下，将第二硬掩膜组分层的第二厚度设置为300埃。

9.根据权利要求1或2所述的避免栅极多晶硅刻蚀凹痕缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一硬掩膜组分层的第一厚度大于70埃且小于80埃的情况下，将第二硬掩膜组分层的第二厚度设置为290埃。