[发明专利]半导体器件的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710079125.1 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106876252B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 黄冲;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 刻蚀 方法 | ||
1.一种半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：
S10，提供圆形半导体晶片，其包括半导体衬底，位于半导体衬底上的半导体器件层，半导体器件层上的金属层，所述半导体器件层包括位于晶片边缘的通孔结构；
S20，在所述金属层上涂覆光刻胶层；
S30，利用EBR方法去除所述半导体晶片边缘的光刻胶，使得所述位于晶片边缘的通孔被光刻胶所覆盖；
S40，进行曝光、显影，形成光刻胶图形；
S50，利用所述光刻胶图形作为掩膜层刻蚀金属层，形成金属图形；
所述去除所述半导体晶片边缘的光刻胶步骤还包括在所述EBR步骤之后执行WEE步骤，所述WEE步骤距离晶片边缘的距离小于EBR步骤距离晶片边缘的距离。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，所述金属层的厚度为
3.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，所述半导体器件层和金属层之间还包括氧化层，所述氧化层的厚度为
4.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀为等离子体刻蚀，时间为20s～500s。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶图形在晶片边缘区域为向边缘过度的斜坡形。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，所述EBR步骤，光刻胶图形到晶片边缘的距离为0.5mm～5.0mm。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，晶片边缘光刻胶图形的厚度为0.4μm～20μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
