[发明专利]准分子激光退火装置用基板支撑模块有效
申请号: | 201710080337.1 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107154368B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 沈亨基;李基雄;金戊一;金利镐 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国京畿道华城市东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 准分子激光 退火 装置 用基板 支撑 模块 | ||
本发明涉及准分子激光退火装置用基板支撑模块,本发明为准分子激光退火装置用基板支撑模块,上述准分子激光退火装置用基板支撑模块包括:工作台,用于放置基板;支架,以向上下方向贯通上述工作台的方式设置,用于将基板装载于工作台上或从工作台上卸载基板;以及升降驱动部,用于使上述支架升降,上述准分子激光退火装置用基板支撑模块的特征在于,上述工作台被划分为规定区域,各个区域形成相互独立的真空吸入区域,上述真空吸入区域从上述工作台的中央部分开始依次进行真空吸入,从而从上述基板的中心部开始依次与上述工作台相接触。
技术领域
本发明涉及准分子激光退火(Excimer Laser Annealing)装置用基板支撑模块,涉及如下的准分子激光退火装置用基板支撑模块:将用于放置基板的工作台划分成规定区域来形成独立的真空吸入区域,从而从工作台的中央部分开始依次进行真空吸入,由此防止在基板与工作台之间发生的气泡的生成,来使基板的弯曲(warp)现象最小化。
背景技术
通常,作为用于基板或薄膜的结晶化的方法包括:使基板或薄膜形成在腔室内部的工作台上,在高温状态下进行退火,或者在高温下在基板上蒸镀薄膜的方法。在本发明中,将上述基板或薄膜的退火及高温状态下的薄膜蒸镀过程统称为“退火(annealing)”过程,为了方便,将基板或蒸镀于基板上的薄膜称为“基板”。
但是,在上述高温下的退火存在如下的缺点:通过高温气氛下的热化学反应污染腔室内部,或者在腔室内部生成没必要的化合物,从而引起基板的污染。
并且,存在如下的缺点:因不均匀的温度梯度,热处理均匀度并不恒定,从而在基板或薄膜上形成斑点(mura),或者消耗很多用于调节高温气氛的时间,从而导致工序成本增加,且生产性低。
最近,随着基板的大型化及薄板趋势,研究利用激光的退火方法,尤其,利用准分子激光的退火(Excimer Laser Annealing)方法是一种向基板或薄膜上照射准分子激光来依次对基板或薄膜进行瞬间加热并引导结晶化的方法。
这种准分子激光退火方法对于基板或薄膜整体的退火均匀度优秀,从而易于适用于大面积基板,仅对照射激光束的局部性区域进行瞬间加热,因此,具有对薄膜或基板的适用性出色的优点,且生产性高,于是最近正在积极研究中。
通常,用于准分子激光退火方法的装置包括:腔室;支撑模块,配置于腔室内部,用于放置基板;激光发生器,配置于腔室外部,用于产生激光束;窗口,形成于腔室的一侧,用于使激光束透过腔室内部;以及光学计,形成于腔室的外部的激光束的路径上,通过窗口向腔室内部引导激光束来向基板或薄膜上照射。
其中,形成有上述基板的支撑模块包括:工作台,用于放置基板;支架,以向上下方向贯通工作台的方式设置,用于装载或卸载基板;以及升降驱动部,用于使支架升降。
通过这种准分子激光退火装置,将需要进行退火的基板引入到腔室内部,并安装于上述工作台上,在安装于工作台上之前,利用升降驱动部使支架上升来使其向工作台的上侧突出,从而使基板安装于上述支架上。
而且,若基板安装于支架上,则利用升降驱动部来使支架下降,支架完全收容于工作台的内部,基板安装于工作台上。
接着,若基板完全装载于工作台上,则在向工序进行方向移动工作台的过程中,启动激光发生器来向基板上照射激光束,进行基板的退火过程。
在以往的这种支撑模块中的工作台使形成于其上侧的基板的弯曲最小化,为了防止气泡(air pocket),在工作台的上部形成如图1所示的规定图案。
形成于上述工作台10的上部的图案实现为1.2mm宽度的凹槽以60mm的间隔呈格子形态的排气口通道11和形成于工作台10的中央部的真空吸入通道12。上述真空吸入通道12与在外部额外形成的真空泵相连接,从而使形成于工作台10的上侧的基板在工作台10上稳定地固定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AP系统股份有限公司,未经AP系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710080337.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造