[发明专利]准分子激光退火工序用脱氧装置

说明书

本发明为准分子激光退火工序用脱氧装置，上述准分子激光退火工序用脱氧装置包括；壳体；脱氧模块，与上述壳体的一侧相结合，用于向基板上部侧供给非活性气体，恒定地维持上述基板上部侧的氧浓度，上述脱氧模块包括：盖板，形成有非活性气体注入口；第一板，以面接触的方式与上述盖板相结合；第二板，形成有非活性气体的扩散路径；多个螺杆，在上述螺杆的外周面设有螺杆管道；第一空间部，用于混合上述非活性气体；以及第三板，用于向上述基板上部侧供给上述非活性气体。

技术领域

本发明涉及准分子激光退火(Excimer Laser Annealing)工序用脱氧装置，并涉及如下的准分子激光退火工序用脱氧装置：包括向基板上部侧供给非活性气体的脱氧模块，恒定地维持进行基板上部侧的准分子激光退火工序部分的氧浓度，脱氧模块被制作成单一单元，从而可组合使用。

背景技术

在有机发光显示装置等的情况下，利用与对应像素电连接的薄膜晶体管来控制各个像素的发光与否或发光程度，上述薄膜晶体管可呈多种结构，但是，优选地，将具有高移动度等的优点的多晶硅薄膜用作为活性层，为此，需要将非晶硅(Amorphous silicon)膜结晶化成多晶硅(Polysilicon)薄膜的工序。

为此，需要进行基板的退火工序，退火工序为对金属或玻璃进行热处理，去除堆积在物质中的变形、水分、应力等，使内部组织变得均匀，从而改善电或机械性质的工序，通常，有机发光显示装置等的平板显示器的激光退火工序意味着在硅片上照射激光束来使非晶硅膜再结晶化，由此形成多晶硅薄膜的工序。

这种基板的退火装置的工序腔室内部可存在氧(O₂)或不纯物，此时，氧(O₂)对形成于基板上的薄膜进行氧化，不纯物会降低薄膜的质量或者改变性质，从而导致产生基板不良。为了解决这些问题，提供在照射激光束来执行热处理的过程中，为使基板不暴露于氧中，在照射激光束的部位吹入非活性气体来向外部排出该部位的氧的脱氧模块(OPDM，Oxygen Partial Degassing Module)，从而可以防止硅氧化物形成于基板上。

在授权专利公报第10-1510772号中公开了如下的“光照射装置”，作为向基板照射光来对上述基板进行处理的光照射装置，上述光照射装置包括：透过窗，可使上述光透过；第一倾斜部，设置于上述透过窗的上侧，向上述透过窗的左右方向中的外侧方向向上倾斜，或者下部面向上述透过窗的左右方向中的外侧方向向上倾斜，从而对于从上述基板反射并透过上述透过窗的反射光进行第一次抵消；以及第二倾斜部，设置于上述第一倾斜部与透过窗之间，对于在上述第一倾斜部第一次抵消的反射光进行第二次抵消，以上述透过窗的左右方向的中心轴为准，上述第二倾斜部比上述第一倾斜部更朝向外侧。

但是，在这些专利文献中公开的以往的脱氧装置存在如下问题：随着激光束的长度变长，脱氧装置的长度需要变长，随着长度增加，在脱氧装置的内部及进行退火工序的部分很难确保非活性气体的流量以及流速的均匀性，且使加工变得艰难，从而增加随之而来的制作费用。

并且，在喷射的非活性气体的量多的情况下，气体的流速变快，由此，因乱流而很难管理氧浓度，且氧粒子有可能会飞散，从而需要营造以少量的非活性气体也可以进行工序的环境。

并且，在以往的脱氧装置的情况下，各个部件的尺寸大，因此存在难以进行维护的问题。

发明内容

本发明为了解决如上所述的现有技术中的问题而提出，本发明的目的在于，提供如下的准分子激光退火工序用脱氧装置：将非活性气体管道制作成螺杆形状，从而均匀地喷射非活性气体，由此恒定地维持在基板上部侧的进行准分子激光退火工序的部分的氧浓度，并将脱氧模块制作成规定单一单元，从而以与准分子激光退火装置的大小及形态无关的方式适用。