[发明专利]基板载置台和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板载置台，在基板处理装置中用于载置基板，在超过120℃的温度下使用，其中，所述基板处理装置在处理容器内对被处理基板实施处理，所述基板载置台的特征在于，包括：

金属制的基体；和

吸附被处理基板的静电吸盘，其具有设置在所述基体之上的、由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层和设置在所述电介质层的内部的吸附电极，

所述基体的至少与所述电介质层接触的部分由马氏体不锈钢或者铁素体不锈钢构成。

2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：

还具有经由所述基体和所述静电吸盘将所述静电吸盘上的被处理基板的温度调节成规定温度的温度调节机构，利用所述温度调节机构使所述基板载置台成为超过120℃的温度。

3.如权利要求2所述的基板载置台，其特征在于：

所述基体包括：与所述静电吸盘的所述电介质层接触的上部板；和下部板，其设置在所述上部板之下，由所述温度调节机构调节温度，至少所述上部板由马氏体不锈钢或者铁素体不锈钢构成。

4.一种基板载置台，在基板处理装置中用于载置基板，在超过120℃的温度下使用，其中，所述基板处理装置在处理容器内对被处理基板实施处理，所述基板载置台的特征在于，包括：

金属制的基体；和

吸附被处理基板的静电吸盘，其具有设置在所述基体之上的、由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层和设置在所述电介质层的内部的吸附电极，

在设构成所述电介质层的所述陶瓷喷镀覆膜的杨氏模量为E、所述基体的至少与所述电介质层接触的部分与构成所述电介质层的所述陶瓷喷镀覆膜的线膨胀系数差为Δα的情况下，满足E×Δα≤2×10⁶[(N/m²)/℃]。

5.如权利要求4所述的基板载置台，其特征在于：

还具有经由所述基体和所述静电吸盘将所述静电吸盘上的被处理基板的温度调节成规定温度的温度调节机构，利用所述温度调节机构使所述基板载置台成为超过120℃的温度。

6.如权利要求5所述的基板载置台，其特征在于：

所述基体包括：与所述静电吸盘的所述电介质层接触的上部板；和下部板，其设置在所述上部板之下，由所述温度调节机构调节温度，在设所述上部板与构成所述电介质层的所述陶瓷喷镀覆膜的线膨胀系数差为Δα的情况下，满足E×Δα≤2×10⁶[(N/m²)/℃]。

7.如权利要求1至6中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

构成所述电介质层的陶瓷喷镀覆膜是选自Al₂O₃(氧化铝)、MgO·SiO₂(滑石)、2MgO·SiO₂(镁橄榄石)、YF₃和Y₂O₃(氧化钇)中的至少一种。

8.如权利要求1至6中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

构成所述电介质层的陶瓷喷镀覆膜选自MgO·SiO₂(滑石)、2MgO·SiO₂(镁橄榄石)、YF₃和Y₂O₃(氧化钇)。

9.如权利要求1至6中任一项所述的基板载置台，其特征在于：

构成所述电介质层的陶瓷喷镀覆膜是作为将进行喷镀的粉末的配比任意改变得到的混合体的Y₂O₃·Al₂O₃·SiO₂和Y₂O₃·Al₂O₃·SiO₂·Si₃N₄的至少一种。