[发明专利]基板载置台和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于载置基板的基板载置台和使用其的基板处理装置。

背景技术

在平板显示器(FPD)的制造过程中，对被处理基板进行蚀刻、溅射、CVD(化学气相沉积)等的处理。

作为实施这样的处理的基板处理装置已知有在配置于腔室(处理容器)内的基板载置台载置被处理基板，在将处理容器内保持为真空的状态下，在腔室内生成等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置。

作为这样的基板处理装置的基板载置台，已知有具有基体和设置在其之上的静电吸盘的基板载置台。静电吸盘包括由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层和设置在其中的吸附电极，通过对吸附电极施加直流电压，利用静电吸附力例如库伦力、约翰逊-拉贝克力(Johnsen-Rahbeck force)对被处理基板进行吸附固定。

历来，作为基体多使用铝，作为电介质层多使用氧化铝，但是铝的线膨胀系数为23.8×10^-6/℃，与此相对，氧化铝的线膨胀系数为6.4×10^-6/℃，因等离子体等的热而基板载置台的温度上升时，对电介质层施加较大的压力，有可能在电介质层产生龟裂、剥离。特别是，在大型的FPD基板用的载置台中这样的问题变得显著。

因此，提案有利用具有与基体的线膨胀系数的差的绝对值为14×10^-6/℃以下的线膨胀系数的陶瓷喷镀膜形成电介质层，防止这样的电介质层的龟裂的技术(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：专利第4994121号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，作为对FPD基板的处理，存在成膜处理等高温处理，但是在具有静电吸盘的基板载置台中，其温度超过120℃时，基于专利文献1的技术仅调整静电吸盘的电介质层和基体的热膨胀差的情况下，构成电介质层的陶瓷喷镀覆膜不能追随基体的伸展，难以有效地防止电介质层的龟裂、剥离。

另一方面，在作为高温处理进行化学蒸镀(CVD)的成膜装置中，存在使用没有采用静电吸盘的结构的基板载置台的情况，但是由于没有吸附基板的结构，因此在基板与载置台表面之间产生间隙，难以高精度地对基板进行温度控制。另外，还存在使用对基板机械地夹紧的机构的情况，但是由于仅是基板的外周部的夹紧，所以在基板的中央部残留间隙，仍然难以进行基板的温度控制。

因此，本发明的课题在于提供一种具有静电吸盘的基板载置台和使用其的基板处理装置，即使在超过120℃的温度下，在静电吸盘的由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层也难以产生龟裂、剥离。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明的第1观点提供一种基板载置台，在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中用于载置基板，在超过120℃的温度下使用，所述基板载置台的特征在于，包括：金属制的基体；和吸附被处理基板的静电吸盘，其具有设置在上述基体之上的、由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层和设置在上述电介质层的内部的吸附电极，上述基体的至少与上述电介质层接触的部分由马氏体不锈钢或者铁素体不锈钢构成。

在上述第1观点中，上述基板载置台还包括经由上述基体和上述静电吸盘将上述静电吸盘上的被处理基板温度调节成规定温度的温度调节机构，能够利用上述温度调节机构使上述基板载置台成为超过120℃的温度。在该情况下，上述基体能够采用如下所述的构造，即，包括：与上述静电吸盘的上述电介质层接触的上部板；和下部板，其设置在上述上部板之下，由上述温度调节机构调节温度，至少上述上部板由马氏体不锈钢或者铁素体不锈钢构成。

本发明的第2观点提供一种基板载置台，在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中用于载置基板，在超过120℃的温度下使用，所述基板载置台的特征在于，包括：金属制的基体；和吸附被处理基板的静电吸盘，其具有设置在上述基体之上的、由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层和设置在上述电介质层的内部的吸附电极，在使构成上述电介质层的上述陶瓷喷镀覆膜的杨氏模量为E、上述基体的至少与上述电介质层接触的部分与构成上述电介质层的上述陶瓷喷镀覆膜的线膨胀系数差为Δα的情况下，满足E×Δα≤2×10⁶[(N/m²)/℃]。