[发明专利]激光剥离工序间对象物反转检测方法有效
申请号: | 201710081073.1 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107154364B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 沈亨基;金钟明;崔东奎;高珍衡 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国京畿道华城市东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 剥离 工序 对象 反转 检测 方法 | ||
1.一种激光剥离工序间对象物反转检测方法,用于检测由基板和形成于基板上侧的材料层构成的激光剥离对象物的反转,其特征在于,
包括:
在工作台上装载激光剥离对象物的步骤;
使位移传感器位于上述激光剥离对象物的非活性区域的步骤;
通过上述位移传感器测定上述基板与材料层之间的高度差的步骤;以及
根据所测定的上述高度差,检测上述激光剥离对象物是否发生反转的步骤,
在剥离工序腔内,在剥离工序之间连续进行上述激光剥离工序间对象物反转检测。
2.根据权利要求1所述的激光剥离工序间对象物反转检测方法,其特征在于,上述位移传感器与基板或基板及材料层的非活性区域相接触。
3.根据权利要求1所述的激光剥离工序间对象物反转检测方法,其特征在于,在上述位移传感器由单个构成的情况下,使上述基板与材料层之间的边界部垂直地移动,来测定上述基板与材料层之间的高度差。
4.根据权利要求1所述的激光剥离工序间对象物反转检测方法,其特征在于,上述位移传感器包括用于测定上述基板的高度的基板位移传感器和用于测定上述材料层的高度的材料层位移传感器,用于测定上述基板与材料层之间的高度差。
5.根据权利要求1所述的激光剥离工序间对象物反转检测方法,其特征在于,上述位移传感器在多个位置测定高度差。
6.根据权利要求4所述的激光剥离工序间对象物反转检测方法,其特征在于,上述基板位移传感器的位置处于固定状态,仅使得上述材料层位移传感器移动来与材料层相接触。
7.根据权利要求1所述的激光剥离工序间对象物反转检测方法,其特征在于,上述位移传感器能够相对于上述激光剥离对象物的表面垂直或水平地进行位移。
8.根据权利要求1所述的激光剥离工序间对象物反转检测方法,其特征在于,上述位移传感器不与基板或基板及材料层的非活性区域的上部相接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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