[发明专利]激光剥离工序间对象物反转检测方法

说明书

本发明涉及激光剥离工序间对象物反转检测方法，本发明提供激光剥离工序间对象物反转检测方法，用于检测由基板和形成于基板上侧的材料层构成的激光剥离对象物的反转，其特征在于，包括：在工作台上装载激光剥离对象物的步骤；使位移传感器位于上述激光剥离对象物的非活性区域的步骤；通过上述位移传感器测定上述基板与材料层之间的高度差的步骤；以及根据所测定的上述高度差，检测上述激光剥离对象物是否发生反转的步骤。

技术领域

本发明涉及激光剥离工序间对象物反转检测方法，并涉及在向激光剥离对象物照射激光束之前，用于检测上述对象物是否发生反转的方法，且涉及利用位移传感器来测定激光剥离对象物件的高度差，从而检测是否发生反转的激光剥离工序间对象物反转检测方法。

背景技术

通常，利用如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)的Ⅲ族元素的氮化物半导体的热稳定性优秀并具有直接带隙(DirectBandgap)，从而广泛用于发光二极管用材料。

利用这种Ⅲ族的氮化物半导体很难形成在同种的基板，因此，蒸镀在具有类似的结晶结构的异种基板上，尤其，蒸镀在具有与氮化物类似的晶格常数的蓝宝石基板上来形成外延层。

但是，蓝宝石基板具有非导电特性，且热传递率低，因此无法在下部形成电极，从而局限性地呈现出发光二极管结构，很难释放在发光二极管的驱动中发生的热量，从而也很难适用在用于高输出的大电流。

因此，最近，进行着有关在如蓝宝石的异种基板上形成氮化物半导体外延层，分离上述异种基板来制作垂直型发光二极管的技术的研究。

作为分离这种异种基板的代表性方法，有激光剥离(LLO，LASER Lift-Off)方法。上述激光剥离方法在如蓝宝石基板的异种基板上形成氮化物半导体外延层，基板的对面结合第二基板(例如，金属支撑层)之后，通过蓝宝石基板照射激光束，来从氮化物半导体外延层分离蓝宝石基板。

最近，准分子激光(EximerLaser)不仅用于利用激光的精密加工领域，而且还用于分离上述异种基板和薄膜的激光剥离工序。

上述准分子激光为248nmKrF、193nmArF准分子激光，这具有作为氮化物半导体外延层的GaN类的3.3eV带隙和蓝宝石的10.0eV带隙之间的能量，因此通过蓝宝石基板，但是GaN类的半导体外延层会吸收能量，由此，半导体外延层的界面部分被加热及分解，由此，蓝宝石基板和氮化物半导体外延层会分离。

在上述剥离工序中，尤其需要注意的事项为应向蓝宝石基板侧照射准分子激光的激光束来到达氮化物半导体外延层的界面，因此，形成于工序工作台上的蓝宝石基板和蒸镀于其上侧的氮化物半导体外延层的方向变得重要。

即，向照射激光束的方向配置蓝宝石基板，向其相反方向配置氮化物半导体外延层。若相反配置上述两种物质，则激光束首先会到达氮化物半导体外延层，由此，氮化物半导体外延层被加热及分解，从而受到损伤。

并且，在基板上形成有柔性薄膜的情况下，当分离基板和柔性薄膜时，向照射激光束的方向配置基板，向相反方向配置柔性薄膜。其中，在柔性薄膜上形成有与要使用的装置相关的薄膜、图案等。

如图1所示，若上述顺序相反，即，在工序进行的过程中，基板装载存在问题，则激光束先到达柔性薄膜，通常，由高分子形成的柔性薄膜被加热及分解，从而受到损伤(burning)。

并且，在利用柔性薄膜的工序中，如卷对卷(Roll-to-Roll)的旋转(rotation)工序众多，从而可在基板的另一侧面形成有柔性薄膜，即使顺畅地进行基板的装载，也可在照射激光束的方向配置柔性薄膜。

由此，会对周边腔室内部及装置产生污染，由此，在关闭工序装置之后，需要进行清洗作业，因此，会对作业产生莫大的损害。

当装载这种基板时，为了解决基板的反转问题，如图2所示，在基板上表示额外的视觉(vision)标记，从而，通过检测该标记来判断基板是否正常装载。