[发明专利]用于晶片传送的晶片升降环系统在审
申请号: | 201710083687.3 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN107086196A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 布莱恩·西弗森;艾夫林·安格洛夫;詹姆斯·尤金·卡朗 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 樊英如,包孟如 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 传送 升降 系统 | ||
1.一种衬底支撑件,包括:
内部部分,其布置成支撑衬底;
升降环,围绕所述内部部分,所述升降环布置成支撑所述衬底的外边缘;以及
控制器,其被配置为控制致动器以通过选择性地升高和降低所述衬底支撑件的(i)所述升降环和(ii)内部部分中的至少一个来调节所述升降环相对于所述内部部分的高度,
其中,为了调节所述升降环的高度,所述控制器选择性地
将所述升降环的高度调节到用于将所述衬底传送到所述升降环并从所述升降环取回所述衬底的传送高度,以及
将所述升降环的高度调节到用于处理所述衬底的处理高度,其中所述处理高度低于所述传送高度。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述衬底支撑件包括围绕所述内部部分的外部环,其中所述外部环容纳至少一个升降销,所述升降销布置成接合所述升降环的底表面。
3.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述升降环的内边缘包括布置成支撑所述衬底的唇部。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述升降环的内边缘包括布置成接收所述衬底的凹部。
5.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述升降环的底表面包括至少一个凹部,所述至少一个凹部被布置成接收容纳在所述衬底支撑件中的升降销。
6.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述升降环包括C形部分和桥接部分。
7.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中所述C形部分能相对于所述内部部分移动,并且所述桥接部分相对于所述内部部分是固定的。
8.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中当所述桥接部分与所述C形部分分离时,所述C形部分包括开口。
9.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中所述C形部分和所述桥接部分之间的接合部与所述C形部分和所述桥接部分的相应内边缘和外边缘形成直角。
10.一种操作衬底支撑件的方法,所述方法包括:
提供升降环,其中所述升降环布置成围绕衬底的内部部分并且支撑所述衬底的外边缘;以及
控制致动器以通过选择性地升高和降低(i)所述升降环和(ii)所述衬底支撑件的内部部分中的至少一个来调节所述升降环相对于所述内部部分的高度,
其中调节所述升降环的高度包括选择性地
将所述升降环的高度调节到用于将所述衬底传送到所述升降环并从所述升降环取回所述衬底的传送高度,以及
将所述升降环的高度调节到用于处理所述衬底的处理高度,其中所述处理高度低于所述传送高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造