[发明专利]用于晶片传送的晶片升降环系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年2月16日提交的美国临时申请号62/295,808的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于在衬底处理系统中从衬底支撑件提升衬底或晶片的系统和方法。

背景技术

这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。在该背景技术部分中描述的程度上的目前提名的发明人的工作和在申请时可能无资格另外作为现有技术的描述的方面既未清楚地，也未隐含地被承认作为针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可以用于蚀刻衬底(诸如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件(例如，静电卡盘，或ESC)。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于活化化学反应。

衬底支撑件可以包括用于在处理期间等提升和降低用于将衬底传送到衬底支撑件和将衬底从衬底支撑件传送的升降机构。例如，一个或多个升降销可以布置在衬底下方的衬底支撑件中。选择性地控制(例如，机电地，气动地等)升降销以接合衬底的底表面，以相对于衬底支撑件升高和降低衬底。

发明内容

衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分、环绕所述内部部分的升降环，所述升降环布置成支撑所述衬底的外边缘，以及控制器，其被配置为控制致动器通过选择性地升高和降低所述衬底支撑件的所述升降环和所述内部部分中的至少一个，以调节所述升降环相对于所述内部部分的高度。为了调节升降环的高度，所述控制器选择性地将升降环的高度调节到用于将衬底传送到升降环和从升降环取回衬底的传送高度，并且调节升降环的高度到用于处理衬底的处理高度。处理高度低于传送高度。

一种操作衬底支撑件的方法，包括提供布置成围绕衬底的内部部分并支撑衬底的外边缘的升降环，并控制致动器通过选择性地升高和降低衬底支撑件的升降环和内部部分中的至少一个，以相对于内部部分调节升降环的高度。调节升降环的高度包括选择性地将升降环的高度调节到用于将衬底传送到升降环和从升降环取回衬底的传送高度，并将升降环的高度调节到用于处理衬底的处理高度，其中处理高度低于传送高度。

具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：

1.一种衬底支撑件，包括：

内部部分，其布置成支撑衬底；

升降环，围绕所述内部部分，所述升降环布置成支撑所述衬底的外边缘；以及

控制器，其被配置为控制致动器以通过选择性地升高和降低所述衬底支撑件的(i)所述升降环和(ii)内部部分中的至少一个来调节所述升降环相对于所述内部部分的高度，

其中，为了调节所述升降环的高度，所述控制器选择性地

将所述升降环的高度调节到用于将所述衬底传送到所述升降环并从所述升降环取回所述衬底的传送高度，以及

将所述升降环的高度调节到用于处理所述衬底的处理高度，其中所述处理高度低于所述传送高度。

2.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件包括围绕所述内部部分的外部环，其中所述外部环容纳至少一个升降销，所述升降销布置成接合所述升降环的底表面。

3.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述升降环的内边缘包括布置成支撑所述衬底的唇部。

4.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述升降环的内边缘包括布置成接收所述衬底的凹部。

5.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述升降环的底表面包括至少一个凹部，所述至少一个凹部被布置成接收容纳在所述衬底支撑件中的升降销。

6.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述升降环包括C形部分和桥接部分。

7.根据条款6所述的衬底支撑件，其中所述C形部分能相对于所述内部部分移动，并且所述桥接部分相对于所述内部部分是固定的。

8.根据条款6所述的衬底支撑件，其中当所述桥接部分与所述C形部分分离时，所述C形部分包括开口。

9.根据条款6所述的衬底支撑件，其中所述C形部分和所述桥接部分之间的接合部与所述C形部分和所述桥接部分的相应内边缘和外边缘形成直角。

10.一种操作衬底支撑件的方法，所述方法包括：

提供升降环，其中所述升降环布置成围绕衬底的内部部分并且支撑所述衬底的外边缘；以及