[发明专利]X光侦测器的像素电路及X光侦测器有效

专利信息
申请号: 201710083763.0 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN108447941B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 陈宇珩 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: H01L31/115 分类号: H01L31/115;H01L25/16;H01L27/146
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹科学工*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 电性连接 感光二极管 侦测器 感测 电性信号 像素电路 感测信号 高电压 调校 放大 输出放大 重置
【权利要求书】:

1.一种X光侦测器的像素电路,其特征在于,包含:

一感光二极管,用于感测X光,并产生相对应的一感测电性信号;

一第一晶体管,电性连接至该感光二极管,以重置该感测电性信号;

一第二晶体管,电性连接至该感光二极管及该第一晶体管,以放大该感测电性信号,并产生一放大感测信号;以及

一第三晶体管,电性连接至该第二晶体管,以输出该放大感测信号,

其中,该第二晶体管的一端电性连接至一高电压,该第一晶体管的一端电性连接至一调校电压,该高电压与该调校电压分别控制。

2.根据权利要求1所述的X光侦测器的像素电路,其特征在于,该调校电压是可变动的。

3.根据权利要求1所述的X光侦测器的像素电路,其特征在于,该第一晶体管具有一控制端电性连接一第一控制信号.一第一端电性连接该调校电压及一第二端电性连接该感光二极管,该第二晶体管具有一控制端电性连接该感光二极管.一第一端电性连接该高电压,该第三晶体管具有一控制端电性连接一第二控制信号.一第一端电性连接该第二晶体管的第二端。

4.根据权利要求1所述的X光侦测器的像素电路,其特征在于,其还包含:

一可编程电压源,电性连接至该第一晶体管,用于提供该调校电压。

5.根据权利要求1所述的X光侦测器的像素电路,其特征在于,其还包含:

一数字至模拟转换电路,电性连接至该第一晶体管;以及

一控制单元,电性连接至该数字至模拟转换电路,并控制该数字至模拟转换电路,以产生该调校电压。

6.根据权利要求1所述的X光侦测器的像素电路,其特征在于,其还包含:

一个N对1切换器,电性连接至该第一晶体管,其中,该N对1切换器的N个输入端电性连接至N个不同的电压,该N对1切换器的输出端电性连接至该第一晶体管,以提供该调校电压,N为大于1的正整数。

7.根据权利要求1所述的X光侦测器的像素电路,其特征在于,其还包含:

一切换器,电性连接至该第一晶体管;

一可编程电压源,电性连接至该切换器,用于提供该调校电压;

一读取电路,电性连接至该切换器,从而对该感测电性信号进行积分运算;以及

一模拟至数字转换电路,电性连接至该读取电路。

8.根据权利要求1所述的X光侦测器的像素电路,其特征在于,其还包含:

一数字至模拟转换电路,电性连接至该感光二极管;以及

一控制单元,电性连接至该数字至模拟转换电路,并控制该数字至模拟转换电路,以产生一感光二极管调校电压。

9.一种X光侦测器,其特征在于,包含:

一承载件;

一基板,设置于该承载件上;

多个像素电路,设置于该基板上,每一像素电路包括:

一感光二极管,用于感测X光,并产生相对应的一感测电性信号;

一第一晶体管,电性连接至该感光二极管,以重置该感测电性信号,其中,该第一晶体管的一端电性连接至一调校电压;

一第二晶体管,电性连接至该感光二极管及该第一晶体管,以放大该感测电性信号,并产生一放大感测信号,其中,该第二晶体管的一端电性连接至一高电压,该高电压与该调校电压分别控制;以及

一第三晶体管,电性连接至该第二晶体管,以输出该放大感测信号;

一闪烁层,设置于所述像素电路之上,从而将X光转换成可见光,使得该感光二极管产生相对应的该感测电性信号;以及

一保护层,设置于该闪烁层上。

10.根据权利要求9所述的X光侦测器,其特征在于,其还包含:

一平坦层,设置于每一像素电路的该感光二极管与该第一晶体管、该第二晶体管及该第三晶体管之间。

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