[发明专利]X光侦测器的像素电路及X光侦测器

说明书

本发明提供了一种X光侦测器的像素电路及X光侦测器，像素电路包含：一感光二极管、一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管。感光二极管用于感测X光，并产生相对应的一感测电性信号。第一晶体管电性连接至感光二极管，以重置感测电性信号。第二晶体管电性连接至感光二极管及第一晶体管，以放大该感测电性信号，并产生一放大感测信号。第三晶体管电性连接至该第二晶体管，从而输出放大感测信号。其中，第二晶体管的一端电性连接至一高电压，第一晶体管的一端电性连接至一调校电压，高电压与调校电压分别控制。

技术领域

本发明涉及X光侦测的技术领域，尤其涉及一种X光侦测器的像素电路及X光侦测器。

背景技术

X光侦测器一般可分为无源像素侦测器(Passive Pixel Sensor，PPS)及有源像素侦测器(Active Pixel Sensor，APS)两种。

无源像素侦测器(PPS)的构造简单。每个侦测像素仅由一个晶体管与一个感光二极管组成。X光经过闪烁层(Scintillator)产生的可见光的光子被感光二极管转成电荷后，储存于侦测像素内，之后再通过晶体管的开启或关闭从而读出相对应的电荷。

在有源像素侦测器(APS)中，每个侦测像素具有一放大晶体管。该放大晶体管会将感光二极管产生的电荷放大。因此，在有源像素侦测器(APS)的设计中，X光对应的感应信号大小不再只由感光二极管决定，同时也由放大晶体管来决定。所以，在有源像素侦测器(APS)中，X光对应的感应信号会受到放大晶体管的特性的影响，例如，放大晶体管的阈值电压偏移(Vth shift)现象。此外，工艺造成的差异，使得X光侦测器的每一个像素电路的感光二极管的电容值并不相同。因此，即使是接受同样的X光照射，也会产生不同的电压值，进而造成整个影像有不均匀的现象。由此可知，现有的X光侦测器的像素电路确实仍有可以改善的空间。

发明内容

本发明的目的主要在于提供一种X光侦测器的像素电路，其可动态补偿晶体管阈值电压偏移及感光二极管的电容差异的问题，从而提高该X光侦测器的像素电路的影像的准确度。

依据本发明的一方面，提出了一种X光侦测器的像素电路，包含：一感光二极管、一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管。该感光二极管用于感测X光，并产生相对应的一感测电性信号。该第一晶体管电性连接至该感光二极管，以重置该感测电性信号。该第二晶体管电性连接至该感光二极管及该第一晶体管，以放大该感测电性信号，并产生一放大感测信号。该第三晶体管电性连接至该第二晶体管，以输出该放大感测信号。其中，该第二晶体管的一端电性连接至一高电压，该第一晶体管的一端电性连接至一调校电压，该高电压与该调校电压分别控制。

依据本发明的另一发明，本发明提出了一种X光侦测器，包含：一承载件、一基板、多个像素电路、一闪烁层及一保护层。该基板设置于该承载件上。所述像素电路设置于该基板上，每一像素电路包括一感光二极管、一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管，该感光二极管用于感测X光并产生相对应的一感测电性信号，该第一晶体管电性连接至该感光二极管以重置该感测电性信号，其中该第一晶体管的一端电性连接至一调校电压，该第二晶体管电性连接至该感光二极管及该第一晶体管，以放大该感测电性信号，并产生一放大感测信号，其中，该第二晶体管的一端电性连接至一高电压，该高电压与该调校电压分别控制，该第三晶体管电性连接至该第二晶体管，以输出该放大感测信号。该闪烁层设置于所述像素电路之上，以将X光转换成可见光，从而使该感光二极管产生相对应的该感测电性信号。该保护层设置于该闪烁层之上。

附图说明

图1是本发明X光侦测器的像素电路的电路图；

图2是本发明X光侦测器的像素电路的时序图；

图3是本发明X光侦测器的像素电路的电路图的一实施例；

图4是本发明X光侦测器的像素电路的电路图的一实施例；